МОДЕЛИРУЮЩАЯ СРЕДА ПЕРЕМЕННОЙ СТРУКТУРЫ Советский патент 1973 года по МПК G06G7/48 

1

Изобретение относится к устройствам аналоговой и аналого-цифровой вычислительной техники, используемым для решения методами моделирования уравнений математической физики.

Известиы устройства для решения уравненнй математической физики, иснользуюшие моделируюшие среды переменной структуры, построенные на оптронах.

Однако эта моделирующая среда имеет в качестве регулирующего элемента такой нетехнологический элемент, как ламну накаливания. Особенности конструкции элементов онтронной пары не позволяют изготавливать онтрон в едином технологическом цикле. Устройство унравления моделирующей средой ца оптронах является довольно сложным и громоздким.

Предлагаемая моделирующая среда переменной структуры позволяет значительно расширить дианазон изменения параметров элементов среды, создать гибкую и оперативную систему управления, получить высокую степень сочетаемости элементов среды с интегральными элементами современных ЦВМ и высокой технологичностью в производстве.

Предлагаемая среда представляет собой сочетание транзисторного слоя как источника

теплового излучения и терморезистивного слоя как управляемого моделирующего поля.

На чертеже представлен разрез структуры моделирующей среды и вид на структуру в плане.

Моделирующая среда содержит транзисторный слой I, созданный в едином технологичеСКОЛ1 цикле либо собранный из отдельных транзисторпььх элементов, электроизоляционпую теилопроводную пленку 2, покрывающую /. - /г-переходы транзисторного слоя, и матрицу терморезисторов 3 - собственно моделирующее ноле с выводами 4 в узловых точках. Электроды 5 нредусмотрены для подачи управляющих папряжений на базы транзисторов. Электроды 6 выводов коллекторов и электроды 7 выводов эмиттеров транзисторов служат для нодачи питающих напряжений.

Управляющие нанряжения, поступающие на базы транзисторов через электроды 5, открывают транзнсторы. В зависимости от иапряжения и тока коллектора, днаиазон изменения которого определяется диапазоном изменений

управляющего напряжения, изменяется температура р-/1-переходов транзисторов от величины 7о до Т. Изменение температуры через теплопроводный слой воздействует на элементы .матрицы терморезисторов, вызывая соответствующее изменение их сопротивлений.

Предмет изобретения

Моделирующая среда переменной структуры, содержащая матрицу терморезисторов с выводами в узловых точках, отличающаяся тем, что, с целью расширения диапазона изменения параметров моделирующей среды, увеличения уциверсалы-юсти эксплуатации, она содержит электроизоляционную теплопровод ную плепку, расположепную на матрице тсрморезисторов, и транзисторный слой с j/правляющими электродами, установленный на электроизоляционной теплопроводной пленке.

ЩАМг- 1

-...-.

;; : XXXXyxxj4 wvYyfyj

Ш т

Г

1