Полупроводниковое устройство Советский патент 1975 года по МПК H01L15/00 

1

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, а именно к полупроводниковым фотоэлектрическим приборам.

Известны полупроводниковые приборы, содержащие фоточувствительный слой и слой халькогенидного стекла, при этом-характеристиками прибора управляют с помощью электромагнитного излучения.

С целью обеспечения униполярной проводимости и возможности управления коэффициентом выпрямления интенсивностью падающего света в предложенном устройстве слоем халькогенидного стекла покрыта часть поверхности фоточувствительного слоя, при этом сопротивление слоя халькогенидного стекла того же порядка, что сопротивление фотослоя при освещении, но значительно меньще сопротивления переход,ного слоя, образованного на границе указаннь1х слоев.

На чертеже показано предложенное устройство.

На изолирующей подложке I расположен слой 2 фоточувствительного полупроводника, например CdS, на который нанесен металлический электрод 3 и слой 4 халькогенидного :;текла. В качестве халькогенидиого может оыть использовано любое стекло из тех, которые применяются для создания переключателей (витродов). Электрод 5 к слою халькогенидного стекла может быть выполнен из материалов, которые применяются для изготовления переключателей - графита, молибдена, вольфрама и т. д. Устройство может иметь дискретное или матричное исполнение.

Единичный элемент с площадью электрода к слою халькогенидного стекла 2-10-3 (.z темноте обладает симметричной вольтамперной характеристикой и сопротивлением порядка нескольких мегом. Под действием света устройство приобретает униполярную проводимость, т. е. вольтамперная характеристика становится несимметричной.

Характерной особенностью устройства является то, что его коэффициент выпрямления зависит от интенсивности света, увеличиваясь с повышением освещенности. При освещенности 100 лк коэффициент выпрямления может быть равен 40, а при освещенности 150 лк достигает 65.

Помимо освещенности, коэффициентом выпрямления и величиной «выпрямленного тока можно управлять, изменяя площадь и конфигурацию как фотослоя, так и слоя халькогенидного стекла.

Предмет изобретения

Полупроводниковое устройство, содержащее

фоточувствительный слой, например CdS, и

30 расположенный на нем слой халькогенидного

стекла, отличающееся тем, что, с целью обеспечения униполярной проводимости при освещении и возможпости управления коэффициентом выпрямления интенсивностью падающего света, слой халькогенидного стекла

занимает часть поверхности фоточувствительного слоя и имеет сопротивление того же порядка, что сопротивление фотослоя при освещении, но значительно меньще сопротивления переходного слоя.

y////////7Z///////////-.

.--V.- : :/;-: :i v-.v,;- ;-;; .-.,

,..V - . .. .л-;Л--./.Х;-, -...;-л-

-2 -1