ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ СТР.КЛО Советский патент 1974 года по МПК C03C3/87 

1

Изобретение относится к составам полупроводниковых стекол, используемых в электрических приборах.

По основному авт. св. № 374242 известен состав полупроводникового стекла, содержащего, вес.%:

SiOa47-52

TiO20,8-1,8

AlaOg15-17,5

РегОз+РеО9-12

СаО7-9

MgO4,6-6

МпО0,2-0,6

МоОз4-6,5

Целью изобретения является снижение кристаллизационной способности и улучшение выработочных свойств стекла.

Это достигается тем, что предлагаемое полупроводниковое стекло содержит 3-5 вес.% NaaO и 2-4 вес.% КгО.

Стекло, содержаи1ее вес.%:

SiOa48,3

Ti020,8

АЬОз

15,0

РегОз+РеО 10,2

СаО 8,1 4.6

MgO

МпО 0,3

NaoO 4,7 3,5

КаО 4,5

МоОз

обладает следующими свойствами:

Модуль Юнга8050 кг/ммУдельное объемное сопротивление при

80-400°С2-10-106 ом-см

Потери в весе в 1 н. НС12,9%

Предмет изобретения

Полупроводниковое стекло по авт. св. АЬ 374242, отличающееся тем, что с целью снижения кристаллизационной способности и улучшения выработочных свойств стекла, оно содержит 3-5 вее.% Na2O и 2-4 вес.% KsO.