КЛЮЧ Советский патент 1974 года по МПК H03K17/567 

1

Изобретение относится к коммутационной технике. Устройство может быть использовано в аниаратуре связи и автоматики.

Известны высокочастотные ключи с высоким сопротивлением развязки на диодах и резисторах. Между входным и выходными зажимами включены две иоследовательпо соединенные пары диодов, в каждой из которых диоды соединены в одинаковых направлениях. Ири этом пары диодов связаны между собой так, что направление включения диодов первой нары обратно направлению включения второй пары. Точка соединения пар диодов через резистор и диод подключена к источнику управляющего напряжения, полярность которого может изменяться. Общая точка второй пары диодов заземлена через дополнительный диод.

Цель изобретения - повыщение помехоустойчивости ключа. Достигается она тем, что к общей точке встречно включенных диодов предлагаемого ключа подсоединены коллекторы управляющего и питающего трапзисторов разных типов проводимости.

Схе.ма ключа представлена на чертеже.

Диоды 1-4 включены по мостовой схеме, транзисторы 5 и 6 типа п-р-п и резистор 7 подключены к одной диагонали моста, делители напряжения па резисторах 8 и 9 и диодах 10-15 - к другой диагонали, транзисторы 16

и 17 типа р-п-р с резисторами 18-21 обеспечивают пеобхо;химьи 1 режим работы диодов 1-4 и транзисторов 5 и 6; 22 и 23 - согласующие трансфорл1аторы. Ьиравляющее напряжение подается иа устройство через контакты ключа 24 и резистор 25. 1-1апряжение питания поступает от источника напряжения. 01рицательный полюс которого заземлеп.

Работает ключ следующим образом.

В исходном состоянии ключ 24 замкнут, транзисторы 5 и 6 находятся в режиме насыщения, и иадение напряжения па них незначительно. В результате этого па диоды 1-4 подается положительное запирающее папряжение. определяемое разностью потенциалов в точках а и б, а и в, а также г и б и г и в. Разность потенциалов должна быть больше амнлитудЕя напряжения коммутируемого сигиала, снимаемого с половиьы вторичной обмотки трапсформаторов 22 и 23. При разомкнутом ключе 24 транзисторы 5 и 6 запираются, в резул1этате чего потенциал в точках б и в становится больше потенциала в точках а и г, и диоды 1-4 открываются.

Таким образом, в зависимости от состояния к.поча сопроти.влспия плеч диагоналей моста 1-13.меняюгся в нротииоположиые стороны, что приводит к резкому 1 зме11епию его коэффициентов передачи. Транзисторы 16 и 17 определяют иоложепие рабочей точки диодов 1 -

1, которую выбирают таким образом, чтобы при открытом ключе постоянная составляющая тока, протекающего через эти диоды, была несколько больше амплитуды тока коммутирующего сигнала.

Пред м е т и 3 о б р е т е н и я

Ключ, содержащий диоды, включенные по мостовой схеме, и подключенные к одной диагонали моста два управляющих транзистора типа п-р-п с общей точкой эмиттеров, базы которых через резистор подсоединены к источнику напряжения питания и точка соединения баз через другой резистор заземлена, а к

другой диагонали моста подключены делители напряжения на резисторах и встречно включенных диодах, точка соединения которых подключена к общей точке эмиттеров управляющих транзисторов и заземлена, два согласующих трансформатора и в цепи питания управляющих транзисторов - резисторы и два транзистора тина р-п-р, эмиттеры которых соединены с источником напряжения питания, а базы через резисторы заземлены, отличающийся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости, к общей точке встречно включенных диодов моста подключены коллекторы управляющего и питающего транзисторов.

-0+

3

-Ы 13 /4 fS Т, bsr

-