МУЛЬТИВИБРАТОР Советский патент 1974 года по МПК H03K3/282 

1

Изобретение относится ,к импульсной техНике, а именно к мультювийраторам.

Известен мультивибратор, содержащий два транзистора, причем коллектор первого транзистора непосредственно связан с базой второго, порогообразующий делитель на резисторах, включенный в цепь эмиттера второго транзистора, времязадающий коиденсатор, одна обкладка которого соединена с шиной и сточника ПИтапия, а вторая через один резистор - с базой первого транзистора и вторым резистором, и диод.

Целью изобретепия является упрощение схемы.

Для этого эмиттер первого транзистора соединен со средней точкой порогообразующего делителя, а диод включвн между вторым резистором и эмиттером второго транзистора.

На чертеже приведена принципиальная элект1рическая схема мультивибратора.

Мультивибратор содержит усилитель на транзисторе 1, коллекторная нагрузка 2 которого соединена непосредственно .с базой транзистора 3, а эмиттер транзистора 1 присоединен к отводу между резистора:ми 4 и 5, образующими эмиттерную нагрузку транзистора 3, времязадающая цепь образована последовательно включенным диодом 6, резисторами 7 и 8 и конденсатором 9, подключенным между соединением рези топов 7 и 8 и источником питания, диод 6 подключен к эмиттеру транзистора 3 поляраюстью, обеспечивающей проводимость тока, открывающего транзистор 1 со стороны его базы, подключенной к резистору 8.

Мультивибратор работает следующим обра зоМ.

Пусть в исходном состоянии транзистор 1 закрыт, конденсатор 9 разряжен. Тогда копденсатор 9 начнет заряжаться от источника + ЕП через открытый транзистор 3, диод 6, резистор 7. Когда напряжение на конденсаторе 9 превысит потенциал на резисторе 5 (потенциал запирания транзистора 1 по эмпттеру) и порог отпирания транзистора 1, транзистор 1 начинает отпираться, напряжение на базе транзистора 3 падает, вследствие этого падает и запирающий потенциал на резисторе 5, а это приводит к ускорению отпирания

транзистора 1. Проводимость транзистора 3 резко падает, поэтому диод 6 оказывается запертым папряжением на конденсаторе 9, который, заряжаясь через резистов 8 в базу транзистора 1, удерживает последний в открытом состоянии. Когда конденсатор 9 разрядится до порога закрывания транзистора 1, проводимость последнего падает, открывающий по базе ток в транзисторе 3 увеличивается и растет напряжение на эмиттере транзистора 1, ускоряющее запирание этого трапзистора. В дальнейшем цикл работы повторяется.

Резистор 8 должен иметь сопротивление, превосходящее не более чем в три раза лараллельное сопротивление нагрузки и резисторов 4 и 5.

Для формирования Импульсоъ, соответствующих длительному открытому состоянию транзистора 3 и короткому закрытому его состоянию, .сопротивление резистора 8 можно выбрать равным нулю, а отношение сопротивлений резисторов 4 и 5 уменьшить, сохраняя неизменной их сумму.

Для формирования импульсов, при которых открытое состояние транзистора 3 должно быть коротким, а закрытое - длительным, необходимо уменьшить сопротивление резистора 7 и увеличить сопротивление резистора 8, а также уменьшить сопротивление резистора 5, сохраняя неизменной .сумму со.противлеНИИ резисторов 4 и 5.

Если со;противление резисторов 4 мало в сравнении с сопротивлением резистора 5, то выбором соотношений сопротивлений резиCTOpoiB 7 и 8 -можно, почти не изменяя частоты генерадии, изменять в широких пределах скважность генерируемых импульсов.

Напротив, при фиксированном соотношении сопротивлений резисторов 7 и 8 изменением соотношений сопротивлений резисторов 4 и 5 можно в широких пределах изменять частоту генерации.

Экспериментальные высокочастотные образцы обеспечивали ча,стоту генерации до 25 м,гц, а низкочастотные - порядка lfl гч.

Предмет изобретения

Мультивибратор, содержащий два транзистора, причем коллектор первого транзистора непосредственно связан с базой второго, порогообразующий делитель на резисторах, включенный в цепь эмиттера второго транзистора, времязадающий конденсатор, одна обкладка которого соединена с шиной источника питания, а вторая через один резистор - с базой первого транзистора и вторым резистором, и диод, отличающийся тем, что, с целью упрощения схемы, эмиттер первого транзистора соединен со средней точкой порогообразующего делителя, а диод включен между вторым резистором и эмиттером второго транзистора.

v

76