СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НОРМАЛЬНОГО СЛОЯ ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА Советский патент 1974 года по МПК C09K19/52 

Описание патента на изобретение SU429083A1

1

Изобретение относится к получению нормального жидкокристаллического слоя, который может найти широкое применение при создании различных датчиков.

По известному способу предметное и покровное стекла, между .которыми находится слой жидкого кристалла, предварительно протравливают слабым раствором плавиковой кислоты так, чтобы не нарушилась оптическая чистота стекол. В результате травления на поверхности стекол образуются дефекты в виде небольших «лунок, которые служат центрами зарождения нормального слоя жидкого кристалла.

Этот способ оказывается не пригодным, если поверхность стекол, между которыми помеш,ается жидкий кристалл, покрыть токопроводяш,им слоем, например Sn02, так как травитель не действует на металлизированную поверхность стекла. Между тем, получение нормальных слоев жидких кристаллов между металлизированными поверхностями позволило бы путем приложения продольного электрического поля управлять расположением молекул нормального слоя и, следовательно, величиной двулучепреломления.

Предлагается получать нормальный слой путем добавления к жидкому кристаллу такого поверхностного веплества, как ионол. Нормальный слой л 1идкого кристалла имеет подвижную структуру и любая внешняя сила (механическая, электрическая, магнитная и т. д.) способна изменить расположение молекул в слое, вызывая просветления его между скрещенными николями. Но как только внешнее воздействие снимается, нормальный слой быстро восстанавливается, и л идкий кристалл снова становится темным между скреш,енными николями. Время восстаяовления нормального слоя будет зависить от толщины слоя, убывая с уменьшением последнего. Так как в тонких слоях ориентирующее действие подложки с закрепленной на ней матрицей из примеси более сильное, то и упругие

слои более значительны. Наиболее стабильные и оптически совершенные нормальные слои получаются при малых концеитрациях антиокислителя в пределах от 0,05 до 1 вес. % и для толщин жидкокристаллических слоев до

20вес.%.

Пример. Готовят нематический жидкий кристалл на основе двойной смеси п-метоксибеизилденбутилаиилина (МББА) и п-этоксибеизилденбутиланилина (ЭББА) в весовом соотношении компонентов 1:1; затем добавляют ионол (2,6-ди-трет-бутил-4-метилфенол) от 0,05 до 1 вес. %. Всю смесь нагревают выше точки фазового перехода в изотропную

жидкость и тщательно перемешивают. Приго3товленная смесь обладает тем свойством, что если она заключена между двумя плоскопараллельными подложками, разделенными прокладкой толщиной 10 мкм, то смесь .при О- 55°С образует нормальный слой жидкого кристалла, который аналогичен по своим кристаллоопти-ческим характеристикам плоскопараллельной пластинке оптически одноосного кристалла. 4 Предмет изобретения 1. Способ получения нормального слоя жидкого кристалла, отличающийся тем, тем, что, с целью упрощения процесса, к жидкому кристаллу добавляют «онол. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что ионол берут в количестве от 0,05 до 1 вес. %.

Похожие патенты SU429083A1

название год авторы номер документа
МЕХАНООПТРОНВ ПТ Б,*.лип п-;^-ГП"г^ФО?!^ i;-:^;-.:- ^^^i 1972
SU419739A1
СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ МЕХАНИЧЕСКИХ ИМПУЛЬСОВ 1965
  • Капустин А.П.
SU224102A1
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПОЛЯРИЗАЦИЕЙ СВЕТА И БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ УПРАВЛЯЕМЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ С ПРИМЕНЕНИЕМ ХОЛЕСТЕРИЧЕСКОГО ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА (ВАРИАНТЫ) 2007
  • Барник Михаил Иванович
  • Блинов Лев Михайлович
  • Палто Сергей Петрович
  • Уманский Борис Александрович
  • Штыков Николай Михайлович
RU2366989C2
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ДИХРОИЧНЫХ ПОЛЯРИЗАТОРОВ СВЕТА 1994
  • Хан Ир Гвон[Ru]
  • Бобров Юрий Александрович[Ru]
  • Игнатов Леонид Ярославович[Ru]
  • Курбатов Алексей Владиславович[Ru]
  • Шишкина Елена Юрьевна[Ru]
RU2110822C1
ДИХРОИЧНЫЙ ПОЛЯРИЗАТОР СВЕТА 1997
  • Хан И.Г.(Ru)
  • Бобров Ю.А.(Ru)
  • Игнатов Л.Я.(Ru)
  • Лазарев П.И.(Ru)
RU2138533C1
ПАНЕЛЬ ДИСПЛЕЯ И МНОГОСЛОЙНАЯ ПЛАСТИНА ДЛЯ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2001
  • Лазарев П.И.
  • Паукшто М.В.
RU2226293C2
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ ДИСПЛЕЙНОЕ УСТРОЙСТВО 2008
  • Сакаи Акира
  • Хасегава Масахиро
  • Ниномия Икуо
RU2456651C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ АНИЗОТРОПНОЙ ПЛЕНКИ 2001
  • Лазарев П.И.
  • Паукшто М.В.
RU2199441C2
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ ДИСПЛЕЙНОЕ УСТРОЙСТВО 2009
  • Сакураги Кадзуйоши
  • Ямада Нобуаки
  • Цуда Кадзухико
  • Сакаи Акира
RU2472195C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКИ (ВАРИАНТЫ), ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ДИФРАКЦИОННАЯ РЕШЕТКА, ДИНАМИЧЕСКАЯ ДИФРАКЦИОННАЯ РЕШЕТКА 2018
  • Муравьев Николай Викторович
  • Пискунов Дмитрий Евгеньевич
  • Рю Чжэел
RU2695937C1

Реферат патента 1974 года СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НОРМАЛЬНОГО СЛОЯ ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА

Формула изобретения SU 429 083 A1

SU 429 083 A1

Даты

1974-05-25Публикация

1972-01-13Подача