СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ВЫСТУПАЮЩИХ ДЕФЕКТОВ С ПОВЕРХНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ Советский патент 1974 года по МПК H01L21/304 

1

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению, в частности к эпитаксиальной технологии изготовления полупроводниковых приборов, и Направлено на повышение качества поверхности эпитаксиальных слоев полупроводникового материала.

В процессе эпитаксиальпого выращивания по известной технологии на поверхности эпитаксиального слоя часто наблюдается рост выступов в виде отдельных пирамид или их группировок. Выступы имеют острые вершины и достигают в высоту 30-40 мкм. Эти выступы являются дефектами -поверхности эпитаксиального слоя, и .при проведении в дальнейшем операций фотолитографии они образуют выколы на рабочей поверхности фотошаблонов, значительно уменьшая срок их службы, а также снижая процент выхода годных структур после каждого совмещения.

Возможно уменьшение величины выступающих дефектов на поверхности эпитаксиального слоя путем электрохимического травления. Однако при этом происходит стравливание части эпитаксиального слоя, в результате чего полное удаление выступающих дефектов становится певозможным в связи с тем, что высота выступов в ряде случаев соизмерима с толщиной эпитаксиального слоя.

Известен также способ повышения качества поверхности изделий, включающий шлифование с использованием шлифовальной жидкости. Но применяемые при этом абразивные инстру.менты не пригодны для обработки эпитаксиальных слоев, потому что зерна абразива, удаляя выступающие дефекты, могут повредить эпптаксиальный слой.

Цель изобретения - создание способа, позволяющего повысить качество поверхности эпитаксиальных слоев, т. е. удалить острые

выступающие дефекты без влияния на остальную поверхность эпитаксиального слоя.

Это достигается тем, что предварительно всю поверхность эпитаксиального слоя окисляют, а шлифование осуществляют с помощью плоского полировальника с канавками.

На чертеже схематически представлена полупроводниковая пластина с эпитаксиальным слоем на операции обработки с помощью

плоского полировальника.

По предлагаемому способу после эпитаксиального выращивапия слоя 1 на полупроводниковой пластипе 2 всю поверхность эпитаксиального слоя 1 окисляют. О,кисел выполняет функцию защитного покрытия, предотвращающего возможпость образования на поверхности эпитаксиального слоя 1 царапин отколовшимися частицами выступов 3 при дальнейшей обработке. Для этого также между поверхностью эпитаксиального слоя 1 и

плоскостью полировальника 4 создают тонкий слой шлифовальпой жидкости 5, например, слой глицерина. Шлифовальная жидкость 5 препятствует непосредственному соприкосновению полировальника 4 с поверхностью эпитаксиального слоя I.

К помещенной на плоскости полировальника 4 полупроводниковой пластине 2 прикладывают нормальное усилие Р, обеспечивающее выдавливание из под пластины 2 лишней жидкости 5 и образование между поверхностью эпитаксиального слоя 1 и плоскостью полировальника 4 зазора, величина которого меньше высоты выступов 3. При перемещении пластины 2 по поверхности полировальника 4 происходит сошлифование (скалывание) выступов 3, а образовавшиеся осколки скапливаются в канавках полировальника 4.

Описанный способ обеспечивает эффективное удаление выступающих дефектов с поверхности энитаксиальных слоев и, таким образом, способствует повышению качества их поверхности. При использовании этого способа интенсивность износа фотошаблонов уменьшается примерно в три раза, что приводит к увеличению пропента выхода годных полупроводниковых структур.

Предмет изобретения

Способ удаления выступающих деф ектов с поверхности энитаксиальных слоев, включающий шлифование с использованием шлифовальной жидкости, отличающийся тем, что, с целью новышения качества поверхности, предварительно всю поверхность эпитаксиального слоя окисляют, а шлифование осуществляют с иомощью нлоского полировальника с канавками.

2