1
Изоб;ретение относится к способам контроля качества кремниевых полупроводниковых приборов.
Известны способы контроля качества полупроводниковых приборов с помощью климатических испытаний.
Известные способы «е позволяют точно прогнозировать параметрические отказы приборов, потому что испытание при повышенной температуре предшествует испытанию лри пониженной температуре, а при воздействии повышенной температуры происходит временной отжиг дефектов, определяющих параметрические отказы приборов в холоде и при длительной эксплуатации.
Целью изобретения является повышение эффективности прогнозирования отказов при длительной эксплуатации приборов.
Эта цель достигается благодаря тому, что климатические испытания начинают с испытания на холодостойкость, причем приборы выдерживают при температуре -60°С в течение нескольких (порядка шести) часов, после чего измеряют их электрические параметры при любой температуре.
Во избежание потери информации о возможных отказах начинают испытания с воздействия холодом, поскольку пониженная температура является форсирующим фактором для ускоренного выявления основной массы параметрических отказов приборов, обусловленных инверсионными слоями и каналами с
близкой к нулю энергией активизации.
Выдержку в камере холода предлагается проводить в ужесточенном временном и электрическом режимах (в течение нескольких часов при предельно допустимой по напряжекию электрической нагрузке, так как наличие электрического поля может явиться дополнительным фактором, ускоряющим выявление скрытого брака на «холоде).
15
Предмет изобретения
Способ контроля качества полупроводниковых приборов с помощью климатических испытаний на холодо- и теплостойкость, отличающийся тем, что, с Целью повышения эффективности прогнозирования отказов, климатические испытания начинают с испытаний на холодостойкость, причем приборы выдержиВают при температуре -60°С в течение нескольких часов, после чего измеряют их электрические параметры при этой температуре.
