Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ППИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.
Из техники известно, что пластмасса, используемая для корпусирования ППИ, не является абсолютно герметичной. Поэтому кристаллы ППИ защищаются или оксидом кремния, или различными лаками. Устойчивость ППИ к влаге зависит от конструкции изделий и от свойств применяемой пластмассы. Если ППИ в полых корпусах, например металлостеклянных, проверяются на герметичность, то ППИ в пластмассовых корпусах не проверяются на герметичность.
Наиболее близок стандартный способ испытаний [1], например, интегральных схем (ИС) в полых корпусах на воздействие повышенной влажности в камере влаги продолжительностью 4 или 10 суток при температуре 40±2°C и относительной влажности (93±2)%. Эти испытания не могут быть использованы для сравнительных ускоренных испытаний партий ППИ одного типа по стойкости к влаге из-за их длительности, применения специальных камер.
Изобретение направлено на устранение указанных недостатков. Это достигается тем, что испытание изделий проводится в течение 2-3-х часов в кипящей дистиллированной (или деионизованной) воде, чтобы загрязнения из простой воды не попадали на корпуса изделий и не вызывали повышенных значений токов утечки.
Способ осуществляют следующим образом. На одинаковой представительной выборке от каждой сравниваемой партии измеряются электрические параметры до испытаний и после 2-часовой выдержки в нормальных условиях после испытаний в кипящей воде в течение 2-3-х часов. Партия, в которой имеются катастрофические отказы или электрические параметры изделий изменяются более значительно, чем в сравнительной партии, является менее стойкой к воздействию влаги, т.е. менее надежной.
Время испытаний изделий в кипящей воде выбиралось исходя из полученных экспериментальных данных (таблица) на транзисторах КТ3107И.
Полученные в таблице данные показывают, что испытанная выборка транзисторов имела два катастрофических отказа. Изменение электрических параметров незначительное. На выборке их второй партии имелся только один отказ после 2-х часов кипячения в воде. Поэтому партия №2 более надежная.
Источники информации
1. ОСТ 11 073.013-83. Микросхемы интегральные. Методы испытаний. Часть 2 (испытания на воздействие климатических факторов и сред заполнения). С.15-17.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ ПО НАДЕЖНОСТИ | 2009 |
|
RU2455655C2 |
Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности | 2019 |
|
RU2702962C1 |
СПОСОБ СРАВНИТЕЛЬНОЙ ОЦЕНКИ НАДЕЖНОСТИ ПАРТИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ | 2010 |
|
RU2538032C2 |
СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ ПАРТИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ | 2006 |
|
RU2326394C1 |
СПОСОБ СРАВНИТЕЛЬНОЙ ОЦЕНКИ НАДЕЖНОСТИ ПАРТИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ | 2011 |
|
RU2511617C2 |
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ ПО НАДЕЖНОСТИ | 2010 |
|
RU2515372C2 |
СПОСОБ РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРОВАННОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕСТАБИЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ | 2008 |
|
RU2375719C1 |
Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по качеству и надежности | 2023 |
|
RU2813473C1 |
СПОСОБ СРАВНИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПО НАДЕЖНОСТИ ПАРТИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ | 2012 |
|
RU2546998C2 |
СПОСОБ СТАБИЛИЗАЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННЫХ В ПЛАСТМАССУ | 2011 |
|
RU2484550C1 |
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых приборов как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность способа заключается в том, что на одинаковых выборках из сравниваемых партий полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах проводится измерение электрических параметров, кипячение их в дистиллированной воде в течение 2-3-х часов и вновь проводят измерение электрических параметров после 2-х часов их выдержки в нормальных условиях. По результатам испытаний проводят сравнение партий. Техническим результатом изобретения является повышение оперативности проведения сравнительных испытаний по стойкости к влаге полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах. 1 табл.
Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах, в соответствии с которым на произвольных одинаковых выборках изделий из партий проводят измерения электрических параметров до и после испытаний, отличающийся тем, что проводят испытания изделий в кипящей дистиллированной (или деионизованной) воде в течение 2-3 ч.
Технологии в электронной промышленности, №4, 2008 / А.Керенцов, В.Ланин | |||
Влагоустойчивость интегральных микросхем в пластмассовых корпусах, с.68-72 | |||
JP 63175778 А, 20.07.1988 | |||
Охладитель гранул | 1984 |
|
SU1239482A1 |
JP 6120315 А, 28.04.1994 | |||
JP 62030345 А, 09.02.1987 | |||
US 6176141 В1, 14.06.1999 | |||
СПОСОБ ОТБРАКОВКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ | 2001 |
|
RU2217843C2 |
Способ испытаний интегральных микросхем | 1990 |
|
SU1795386A1 |
Авторы
Даты
2012-10-20—Публикация
2009-11-17—Подача