1
Изобретение относится к способам измерений параметров полупроводников и полуметаллов.
Понятие «параметр анизотропии k обычно характеризует кинетические свойства носителей в полупроводниках и полуметаллах.
Согласно известному способу, определение параметра анизотропии k в полупроводниках, например, типа и сводится к измерению продольного и поперечного магнитосопротивления на плоскопараллельных образцах прямоугольной формы. Такой образец должен иметь две пары плоскостей, параллельных двум кристаллографическим плоскостям, например, для п - Ge это плоскости (100) и (ПО). В случае п-Ge постоянный электрический ток пропускают в направлении 100, а постоянное магнитное поле ориентируют вдоль направления для измерения продольного магнитосопротивления и вдоль направления ;110 для измерения поперечного магнитосопротивления. Параметр анизотропии определяется по кинематическим коэффициентам, полученным путем экспериментальных измерений продольного и поперечного магнитосопротивления.
Известный способ трудоемкий и длительный, причем результаты измерений содержат значительные погрешности.
Предложенный способ позволяет значительно упростить процесс измерения и повысить точность измерений экспериментальных величин, по которым определяется параметр анизотропии k.
Согласно предложенному способу, в плоскости образца возбуждают высокочастотное электромагнитное поле, индуцируют возникающий в той же плоскости поток высокочастотной магнитной индукции в направлении, перпендикулярном возбул даемому магнитному полю, по зависимости которого от угла между направлением индикации и кристаллографическим направлением в плоскости образца устанавливают соотношение минимального Фмип и максимального Фмакс потоков. Параметр анизотропии определяют по максимальному значению величины
1-(Фмнн/Фмакс)
а
I т- (Фм.н/Фмакс)
полученному путем измерения ее зависимости от напряженности постоянного магнитного поля.
Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором схематично показана ориентация магнитных полей, кристаллографических направлений и измеряемого потока магнитной индукции относительно образца. Здесь
1 - исследуемый образец; В - внешнее по
