Изобретение относится к области приборостроения. Известны тензометрические датчики давления, содержащие мембрану переменной толщины, выполненную за одно целое с корпусом, и тензорезисторы, наклеенные на мембрану. Тензорезисторы испытывают разную по значению деформацию, которая меняется от +е до нуля в средней части мембраны и от нуля до -S ближе к заделке, а в среднем I -у ДО + -. колеблется от Следовательно, для получения максимального линейного выходного сигнала необходимо подбирать определенные места для наклейки тензорезисторов. Для упрощения выбора места крепления тензорезисторов, соответствующего максимальному линейному выходному сигналу, в предлагаемом датчике давления мембрана спрофилирована по закону -/()(-3-) где /I - тол;щина мембраны; г -текущий радиус мембраны; R - радиус мембраны; Е - модуль упругости материала браны; 5 10 15 20 25 мем30Л - коэффициент Пуассона; ЕГ - радиальная деформация; Р - измеряемое давление. Иа фиг. 1 изображен описываемый датчик, разрез. Датчик давления состоит из мембраны 1, выполненной за одно целое с корпусом, тензорезисторов 2, наклеенных на мембрану, крышки 3. Камера А герметизирована резиновым уплотнительным кольцом 4. Давление подводится через трубку 5. При увеличении давления в полости А мембрана 1 прогибается, деформируя тензорезисторы 2, наклеенные на ее поверхность, последние изменяют свое сопротивление. Тензорезисторы 2 включаются в мостовую измерительную схему, выходной электрический сигнал которой пропорционален измеряемому давлению. Тензорезисторы 2, наклеенные на профилированную мембрану 1 в ее центре и ближе к заделке, испытывают одинаковую по своей длине и максимально допустимую для данных устройств деформацию емакс (см. фиг. 2). Таким образом, в датчике давления с профилированной мембраной 1 упрощается выбор места для наклейки тензорезисторов. Предмет изобретения Датчик давления, содержащий мембрану, выполненную за одно целое с корпусом, и
тензорезисторы, отличающийся тем, что, с целью упрощения выбора места крепления тензорезисторов, соответствующего максимальному линейному выходному сигналу, в нем мембрана спрофилирована БО закону
VЗР
(l-li)(
толщина мембраны;
текущий радиус мембраны; радиус мембраны; модуль упругости материала
мембраны;
коэффициент Пуассона; радиальная деформация; измеряемое давление.
K t--:Zi
1 .
%.
д
.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Датчик давления | 1976 |
|
SU585416A1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ | 1997 |
|
RU2115101C1 |
ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | 2009 |
|
RU2391640C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ И ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ЕГО ОСНОВЕ | 2009 |
|
RU2398195C1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | 2009 |
|
RU2397460C1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ | 1986 |
|
RU2028585C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ ПОВЫШЕННОЙ ТОЧНОСТИ | 2011 |
|
RU2451270C1 |
Полупроводниковый преобразователь давления с повышенной точностью и чувствительностью | 2019 |
|
RU2732839C1 |
Датчик давления | 1990 |
|
SU1735728A1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ С ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ | 2009 |
|
RU2399031C1 |
Авторы
Даты
1974-09-15—Публикация
1972-11-21—Подача