Субстрат для выращивания растений в теплицах Советский патент 1974 года по МПК A01G31/00 

(54) СУБСТРАТ ДЛЯ ВыРАШИВАНИЯ РАСТЕНИЙ В ТЕПЛИЦАХ

Изобретение может быть использовано для выращивания растений в защищенном грунте, а также в вегетационных установках и фитотронах при выращивании растени для целей селекции. Известны субстраты для выращивания растений в теплицах, состоящие из смеси почвы с навозом, торфом, соломой, опилками и другими рьхлящими материалами. Однако эти субстраты быстро стареют ухудшаются их водно-воздушные и физикохимические свойства, что приводит к снижению урожая, поэтому субстраты приходится переодически заменять. Примененпе синтетических рыхлящих материалов из вспученного пенополиуретана или полистирола для приготовления теп личных субстратов ограничивается низкой их устойчивостью к применяемым средствам химической и термической стерилиза- Цель изобретения - создание более блсиюприятного водно-воздущного режима для корней растений. Это достигается тем, что субстрат для выращивания растений в теплицах приготовлен на основе дробленого керамзита, на гранулы которого нанесена оболочка, состоящая из тонкодисперсной глины и топкодисперсного органического вещества, а его компоненты взяты в следующем соотно. щении, вес. %: Керамзит85 - 88 Органическое вещество1О - 12 Глина2-3 Это увеличивает его влагоемкость и влагопроводность, а также улучшает условия питания растений. Предлагаемый субстрат позволяет резко повысить урожай растений в теплицах. Предмет изобретения Субстрат для выращивания растений в теплицах на основе дробленого керамзита, отличающийся тем, что, с целью создания для корней растений более благоприятно45231534

о.,

го водно-воздушного режима, на керамзитследующем соотношении, вес. %:

нанесена оболочка, состоящая иэ тонкодиспер-Керамзит85 - 88

сной глины и тонкодисперсного органическо-Органическое вещество10 - 12

го вещества, аего компоненты взяты вГлина2 - 3