Способ защиты транзисторов от вторичного пробоя Советский патент 1975 года по МПК G01R31/26 

Изобретение относится к электронной технике и применимо при контроле и проверке электрических параметров транзисторов различных типов для их защиты от вторичного пробоя. Известен способ защиты транзисторов от вторичного пробоя, заключающийся в том, что последовательно с проверяемым транзистором включают первичную обмотку дифференцирующего трансформатора. Предварительно выбирают значение производной коллекторного тока по времени, т. е. устанавливают порог, при котором должна сработать защита. В момент резкого возрастания коллекторного тока и нриближения величины его производной к заранее выбранной, во вторичной обмотке трансформатора наводится э. д. с. самоиндукции- управляющий сигнал, который пропорционален величине производной коллекторного тока по времени. Полученный управляющий сигнал усиливают дифференциальным усилителем и подают на исполнительный орган, который отключает источник коллекторного питания от проверяемого транзистора. Недостаток известного способа состоит в том, что нет определенного критерия выбора фиксированного значения производной коллекторного тока по времепи, при котором происходило бы срабатывание системы защиты для каждого транзистора, вследствие чего возникает больщая неточность отключения транзистора в начальный момент вторичного пробоя (т. е. преждевременное отключение или отключение с опозданием), что надежность защиты. Цель изобретения - повышение надежности и автоматическое отключение испытуемого транзистора в начальный момент вторичного пробоя. Поставленная цель достигается благодаря тому, что на вход испытуемого прибора подают возрастающее пилообразное напряжение и в момент, когда одновременно производные напряжения коллектор - эмиттер по току коллектора и по времени равны нулю, формируют управляющий импульс. Начальный момент вторичного пробоя характеризуется равенством нулю производной напряжения коллектор - эмиттер испытуемого транзистора по току коллектора Для отключения в начальный момент необходимо получить управляющий импульс в . Однако зависимость /„ (UK безвременная. Для получения управляющего импульса отключения испытуемого транзистора от питающего напряжения необходимо получить временную зависимость изменения напряжения коллектор--эмиттер. Для этой цели необходимо иметь питающий источник возрастающего напряжения (например, по пилообразному закону). В этом случае оказывается, что производные напряжения коллектор- эмиттер по току коллектора и по времени одновременно равны нулю в момент вторичного пробоя

dU

0.

й/„

пр

пр

Действительно, исследования показали, что выходная характеристика транзистора со вторичным пробоем имеет участок с отрицательным сопротивлением.

При подаче возрастающего напряжения питания напряжение (/к-э сначала монотонно возрастает, а затем в момент вторичного пробоя () резко падает, в результате чего

dn

в этот мо.мент мепроизводная

dt

няет знак при

Ь AiAK-э Ь - о,

dU

г:0,

t.

dt

t-t.

пр

пр

где есть корень уравнения (2), т. е. момент вторичного пробоя.

Таким образом, используя условие (3), можно создать метод защиты транзисторов, позволяющий вырабатывать импульс напряжения в момент начала вторичного пробоя, необходимый для запуска системы защиты и отключения высокого напряжения f/к-э от испытуемого транзистора, путем дифференцирования f/K-a по времени.

Предмет изобретения

Способ защиты транзисторов от вторичного пробоя при многократных испытаниях путем отключения испытуемого транзистора при подаче на вход исполнительного органа управляющего импульса, отличающийся тем,

что, с целью повышения надежности и автоматического отключения испытуемого транзистора в начальный момент вторичного пробоя, на испытуемый прибор подают возрастающее пилообразное напряжение и в момент, когда одновременно производные напряжения коллектор- эмиттер по току коллектора и по времени равны нулю, дормируют управляющий импульс.