(54) ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ СЛОЙ
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Электрофотографический материал | 1988 |
|
SU1603335A1 |
Электрофотографический материал | 1975 |
|
SU560200A1 |
Способ получения электрофотографического материала | 1990 |
|
SU1730608A1 |
Способ получения фоточувствительного материала для электрофотографии | 1990 |
|
SU1807442A1 |
Способ получения электрофотографического материала | 1989 |
|
SU1675837A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ МИКРОФИЛЬМИРОВАНИЯ | 1985 |
|
SU1324476A1 |
Электрофотографический материал | 1981 |
|
SU989525A1 |
Электрофотографический многослойный материал | 1980 |
|
SU911446A1 |
Фотопроводящий материал электрофотографического носителя (его варианты) | 1982 |
|
SU1076866A1 |
Электрофотографический материал | 1990 |
|
SU1789966A1 |
1
Изобретение относится к технике электрофотографии, Б частности к электрофотографическим слоям.
Известен электрофотографический слой, состоящий из подложки, связующей среды и фоточувствительного материала.
Недостатком известного слоя является низкая фоточувствительность.
С целью увеличения фоточувствительности в видимой области спектра и ликвидации темновой адаптации в качестве фоточувствительЕюго материала и-спользуют соединения, имеющие общую формулу
CdGaMi, где М -Se и S.
Электрофотографический слой изготавливается методом диспергирования в связующей среде. При этом в качестве связующей среды используют полистирол, растворенный в бензоле. Измельченные кристаллы
CdOaaSe или CdGa,S4,
полученные -после синтеза, диспергируют в связующей среде. Затем эмульсию наносят на подложки, в качестве которых Используют или обычную белую чистую бумагу или алюминиевую пластинку. Далее электрофотографические слои толщиной 20-50 мкм высушивают, при этом оптимальное весовое соотношение использованных материалов составляет: 0,4 г
измельченного кристалла; 0,04-0,08 г полистирола и 2 мл бензола.
При 293°К темновое сопротивление электрофотографических слоев на основе соединений
CdOa.Se, и ,
составляет
10 -10 ом-см,
а относительная фоточувствителыюсть тех же слоев При освещенности 10 лк составляет
Рт/Рсв-(0,4-8)-10
Максимумы спектральной фоточувствительности этих слоев находятся в области длин волн света 400-600 нм, диэлектрическая -проницаемость в темноте при частоте электрического поля 1 составляет 6-8.
Первым этапом технологии электрофотографи-ческого процесса на полученных слоях является их электризация в темноте в тюле корояного разряда. Вследствие низкой концентрации уровней прилипания в слоях
CdOajSe и CdOajSi
процесс темновой адаптации перед электризацией практически отсутствует.
Процесс экспонирования проводят по схеме 30 позитив-лозитив,
Для проявления скрытого электростатического изображения, зафиксированного на поверхности слоев, после процессов их электризации н эКСоюнирования применяют один из методов сухого проявления, так называемое каскадное проявление и метод погружения в жидкостный проявитель.
Процесс закрепления проявленного изображения в случае сухого проявления осуществляется методом закрепления в парах растворителя. При жидкостном проявлении процесс закрепления осуществляется непосредственно в процессе проявления.
Изображения, полученные на .поверхности электрофотографических слоев на основе
соединений CdGajSe. и CdGaaS , являются достаточно четкими и контрастными.
Предмет изобретения
Электрофотографический слой, состоящий из подложкн, связующей среды и фоточувствительного материала, отличающийся тем, что, с целью увеличения фоточувствительности в видимой области спектра и ликвидации гёмновой адаптации, в качестве фоточувствительного материала используют соединения, имеющие общую формулу
СдОазМ4, где М -Se и S.
Авторы
Даты
1975-04-15—Публикация
1973-07-09—Подача