Способ получения фоточувствительного материала для электрофотографии Советский патент 1993 года по МПК G03G5/08 

Изобретение относится к электрофотографии, в частности к получению фоточувствительного материала, и может быть использовано для регистрации и хранения информации.

Целью изобретения является улучшение качества фоточувствительного материа- ла путем повышения начального потенциала, времени тёмнового полуспада и снижения остаточного потенциала.

Указанная Цель достигается тем, что в способе, включающем получение однородной суспензии, восстановление двуокиси селена до элементарного селена в растворе поливинилбутирала (связующего), нанесение продукта реакции на электропроводящую подложку, сушку полученного слоя и термокристаллизацию аморфного селена в триго- нальную форму, согласно изобретению двуокись селена переводится в диэтилселенит, который очищается и восстанавливается до элементарного селена стехиометрическим количеством гидразина. При проведении реакции восстановления необходимо подобрать такую скорость введения гидразина в раствор, чтобы обеспечить эффективный теплоотвод из раствора, предотвратить процесс коагуляции образовавшихся частичек Se в агрегации со средним размером больше 7 мкм и получить коллоидный раствор из взвешенных частичек фотопроводника в связующем полимера. Эта скорость составила 20 мкл/мин.

Полученная таким образом суспензия наносилась на алюминиевую подложку, затем полученный слой сушился в обычных условиях при 60°С в течение 1 ч, а для кристаллизации селена отжигался при 160°С в течение 1ч.

В таблице приводятся электрофотографические (ЭФ) параметры слоев, изготовленных предложенным способом, при различных соотношениях фотопроводник- связующее.

СО

о

S

ю

Заявляемое техническое решение соответствует критерию существенные отличия, так как не обнаружены решения со сходными признаками.

Пример 1. 422 мг двуокиси селена (SeOa), растворяя в 1,0 мл этилового спирта (EtOH), осуществляют процесс образования диэтилселенита. К продукту реакции после фильтрации при интенсивном перемешивании и охлаждении сухим льдом добавляют бензол. После удаления бензола и остатка EtOH чистый диэтилселенит растворяют в 1,0 мл EtOH, перемешивают с раствором 600 мг поливинилбутирала (ПВБ) в 9 мл EtOH. Затем проводят реакцию восстановления диэтилселенита до элементарного Se путем добавления 120 мкл гидразина (МаЩ) со скоростью 20 мкл/мин при интенсивном перемешивании раствора. После введения N;zH4 перемешивание продолжают в течение 20 мин. Для приобретения раствором оптической прозрачности он отстаивается еще 20 мин. Затем полученная суспензия наносится на предварительно очищенную алюминиевую подложку. Указанная рецептура соответствует весовому соотношению фотопроводник-связующеё 1:2. Полученный слой сушат при 60°С в течение 1 ч и термо- обрабатыйают при 160°С в течение 1 ч. Такой слой при толщине 16 мкм обладал следующими ЭФ-параметрамй: при положительной зарядке - начальный потенциал и+нач. 4,1 10 В. см , время темнового

полуспада т V& 110с, интегральная светочувствительность S tfe в 0,08 (лк с)1, beta- точный потенциал U ост 0,1 U нач ; при отрицательной зарядке-U нач 4,1 10 В- .- /. V -. ..; /. ., . - . ; 110c;S vЈ 0,08(лк -с)1;

,1 -инач.

Пример 2. Сохраняя все условия примера 1,700 мг Se02 растворяют в 1,5 мл EtOH. После очистки полученный диэтилселенит растворяют в 1,5 мл EtOH, перемешивают с раствором 500 мг ПВБ в 5 мл EtOH. Проводят реакцию восстановления диэтилселенита путем добавления 200 мкл NzH4. Эта рецептура соответствует весовому соотношению фотопроводник-связующее 1:1.

Слой, полученный на основе восстановленного In situ диэтилселенита, при толщине 16 мкм обладал следующими ЭФ-параметрами: при положительной зарядке - U + 3,8 10 5 В см -1 ; т & 82 с ;

S jfe 0,15(лк-с),1 при отрицательной зарядке

U ч 3,7 10 5 В см 1 ; г и 80 с ; S й 0,15 (лк с) 1; U т 0,1 U ч;

П р и м е р 3. Сохраняя все условия примеров 1 и 2, раствор очищенного диэтилселенита в EtOH перемешивают с раствором 250 мл ПВБ в 3,5 мл EtOH. Проводится реакция восстановления диэтилселенита путем добавления 200 мкл №Н4. Такая рецептура соответствует весовому соотношению фотопроводник-связующее 2:1. Слой,полученный на основе восстановленного диэтилселенита, при толщине 17 мкм обладает следующими

ЭФ-параметрами: при положительной зарядке - ..-. :: . ....-..... . . . : .

U

+

нач

2,8 10 5 В -см л т & 25 с; S & 0,30 ( лк.- с ) -1 ; U Јт 0,06

U нач

25

при отрицательной зарядке - U 2,8 10 5 В см 1 ; г i 20 С ; S И 0,32 ( лк с ) 1: U ж 0,05 U Ј4

Оптимальными оказались ЭФ-слои при соотношении фотопроводник-связующее 1:1. . : ;.-,; ./-. ;; ,... /. . ,

При получении ЭФгСлоев предложенным способом независимо от полярности зарядки удается значительно повысить величину начального потенциала, время темнового полуспада при достаточно высокой светочувствительности и низком остаточном потенциале.

- .. -

Формула изобретения

Способ получения фоточувствитёльного материала для электрофотографии, включающий восстановление двуокиси селена до элементарного селена, смешивание его с поливинилбутиралем, нанесение слоя смеси на электропроводящую подложку, сушку слоя и термокристаллизацию аморфного селена в тригональный, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что,

с целью улучшения качества материала, восстановление осуществляют путем растворения двуокиси селена в этиловом спирте, полученный диэтилселенит подвергают очистке с последующей обработкой стехиометрическйм количеством гидрозина, причем скорость обработки составляет 20 мкл/мин.

Использование: электрофотография. Сущность изобретения: двуокись селена восстанавливают до элементарного селена. Восстановление осуществляют путем растворения двуокиси селена в этиловом спирте. Полученный диэтилселенит подвергают очистке с последующей обработкой стехио- метрическим количеством гидрозина. Скорость обработки составляет 20 мкл/мин. Затем восстановленную двуокись селена смешивают с поливинилбутиралем. Пол-1 ученную смесь наносят на электропроводящую подложку, -.,;.,. .