Многостабильная ячейка памяти Советский патент 1975 года по МПК G11C11/39 G11C11/34 G11C19/34 

падения напряжения на выключенном туннельном дкоде 9.

Обратный переход из 3-го состояния во 2-е осуществляется путем подачи положительного сигнала на базу транзистора Ш; при этом вследствие шунтирующего эффекта происходит включение туннельного диода 9 и соответственно переход тиристора во второе сос.тояние (основное открытое ссстоянке). Полное выключение тетристора, т. е. перевод его из 2-го состояния в 1-е состояние (закрытое состояние) осуществляется подачей положительного сигнала на базу транзистора 6, шунтирующего четырехвыводной тетристор 1.

Выходная вольт-амперная трехстабильпая характеристика предлагаемой многостабильной ячейки памяти изображена на фиг; 2 с обозначениями ветвей стабильных состояний.

Предмет изобретения

Многостабильная ячейка памяти, содержащая тетристор, анод которого соединен с коллектором первого управляющего транзистора и с резистором цени питания, а первый управляющий электрод тетристора базовой области /г-типа соединен с резистором дополнительной цепи питания, отличающаяся тем, что, с целью стабилизации тока переключения ячейки, она содержит дополнительный управляющий транзистор и туннельный диод, анод которого соединен с эмиттером тетристора и коллектором дополнительного управляющего транзистора, а катод туннельного диода и эмиттеры управляющих транзисторов соединены с щиной нулевого потенциала.

Я.

11

,

фиг.1

V V

.