Способ контроля поля анизотропии цилиндрических тонких магнитных пленок по длине Советский патент 1975 года по МПК G01R33/00 

(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПОЛЯ ТОНКИХ МАГНИТНЫХ АНИЗОТРОПИИ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ПО ДЛИНЕ

Таким образом, момент появления гармониче ских составляющих в индукции участка пленки и во вторичной -э. д. с. при перемагничивании синусоидальным полем свидетельствует о величине намагничивающего поля, соответствующего полю анизотропии.

Для регистрации этого поля в момент появления гармонических составляющих при перемагничивании из состава вторичной э. д. с. выделяют третью гармонику и фиксируют начало непрерьтного роста амплитуды ее текущего значения.

Предмет изобр етени Способ контроля поля анизотропии цилиндрических тонких магнитных пленок по длине, основанной на перемагничивании до насыщения участков пленки переменным синусоидальным полем, направленным вдоль трудной оси намагничивания и использовании для целей контроля третьей гармоники вторичной э. д. с., отличающийся тем, что, с целью повыщения точности, контроль ведут по амплитуде намагничивающего поля, регистрируя его значение в момент появления в составе вторичной э. д. с. гармонических составляющих, из которых

выделяют третью гармонику, фиксируя наfr

J5 чало непрерьтного роста амплитуды ее текущего значения.