Матрица оптической памяти Советский патент 1975 года по МПК G11C11/42 

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть применено .в ЗУ для многократной записи и стирания информации при помощи облучения носителя информации ,в ячейках матрицы сфокусированным лучом лазера.

Известны матрицы оптической памяти, содержащие подложку с нанесенным на нее слоем рабочего материала - халькогенидного полупроводника и нанесенное поверх рабочего СЛОЯ прозрачное защитное тер:мостойкое покрытие. В этих матрицах механизм записи и стирания информации основан «а свойстве некоторых халькогенидных полупроводников обратимо изменять под воздействием луча лазера и Свое фазовое состояние тем самым коэффициенты поглощения и отражения светового потока.

Однако в таких матрицах каждый цикл записи и стирания информации сопровождается усилием неоднородности химического состава рабочего ;материала ,в области воздействия луча лазера. Из-за этого при осуществлении сравнительно небольщого числа циклов «запись- стирание рабочий материал настолько изменяет свой химический состав, что матрица выхоДИт из строя.

Цель изобретения состоит в том, чтобы создать стабильно работающую матрицу.

Отличительной чертой данной матрицы является то, что рабочий материал наносится не сплощным слоем, а в виде дискретных ячеек, которые окружены со всех сторон термостойким веществом, инертный по отнощению к рабочему материалу внутри ячеек. При этом вещество, окружающее ячейки хотя бы с одной из сторон, должно быть прозрачно для луча лазера. Размеры ячеек должны быть соизмеримы с размерами экспериментально наблюдаемых проводящих щнуров в рабочем материале (обычно 5 мкм). В предлагаемой матрице размеры ячеек ,в трех измерениях должны быть от 1 до 5 мкм.

На чертеже показана матрица.

Матрица состоит из подложки 1, термостойкого вещества 2, ячейки 3 с рабочим материалом и защитного покрытия 4.

При записи и стирании информации с помощью луча лазера происходит импульсный нагрев и зате.м быстрое охлаждение локальных микрообъемов слоя рабочего материала, что и вызывает фазовые переходы в нем (аморфный - кристаллический - жидкий - аморфный и т. д.). Возникающие при этом больщие градиенты температуры, особенно при «аличии больших объемов вещества, способствуют развитию диффузии различных компонентов рабочего материала в соответствии с градаентом температуры. Поэтому многократные повторения циклов записи и стирания информации приводят к усилению неравномерности химического состава рабочего материала в облучаемой зоне, в результате нарушается кинетика фазовых переходов и усиливается неоднородность оптических характеристик материала. iB замкнутых ячейках малого размера градиент температур значительно .меньше, поэтому изменения химического состава при циклическом «агреве и охлаждении не могут получить существенного развития. Из-за ограничениости объема вещества .в ячейке быстро устанавливается равновесный химический состав, и длительное время сохраняются свойства вещества.

Запись и стирание единичной информации можно проводить параллельно в нескольких ячейках, что позволяет повысить надежность матрицы.

Предмет изобретения

Матрица оптической памяти, содержащая подложку, нанесенный на нее рабочий слой халькогенидного полупроводника и нанесенное поверх рабочего слоя прозрачное защитное тер.мостойкое покрытие, отличающаяся тем, что, с целью стабилизации ее характеристик, в ней рабочий слой халькогенидного полупроводника выполнен в виде дискретных ячеек с линейными размерами от 1 до 5 мкм.