Запоминающее устройство Советский патент 1983 года по МПК G11C13/04 

/ 5

Г7

т//////л /////у// 1 у//А

00

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в вычислительных машинах с энергонезависимой памятью.

Известно перепрограммируемое постоянное запоминающее устройство, содержащее матрицу элементов энергонезависимого хранения информации на основе халькогенидных стекол с использованием принципов лучевого перепрограммирования и оптического считывания jYj .

Недостатком этого запоминающего устройства с оптическим считыванием является сложность конструкции.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство, содержащее матрицу МНОП-элементов (мвталл-нитрид-окисел-полупроводник), взаимодействующих зарядовым механизмом с элементами регистров сдвига J2 ,

Недостатком .известного запоминающего устройства является также сложность конструкции, обусловленная наличием туннельно прозрачного (менее 30 А) слоя окисла.

Целью изобретения является упрощение запоминающего устройства.

Поставленная цель достигается ггем, что в запоминающем устройстве, содержащем, полупроводниковую подложку, на одной поверхности которой нанесен изолирующий слой диэлектрика, электроды сдвига, нанесенные на изолирующий слой диэлектрика, чувствительный слой, нанесенный на другую, поверхность полупроводниковой подложки,электрод стирания,вьшолненный в виде слоя прозрачного проводящего материала,нанесенного на чувствительный слой,и электрод выборки, чувствительный слой выполнен из аморфного полупроводникового материала, а электрод выборки нанесен на другую поверхность полупроводниковой подложки изолированного от чувствительного слоя.

На чертеже показано запоминающее устройство, поперечное сечение.

Устройство содержит полупровод0 никовую подложку 1, изолирующий слой 2 диэлектрика, электроды 3 сдвига, чувствительный слой 4, электрод 5 стирания и электрод 6 выборки.

5 Устройство работает следующим образом.

В слое 4 за счет локального электроннолучевого или лазерного воздействия при записи образованы области 7 кристаллического состояния.

Эти области в месте соприкосновения с подложкой образуют инжектирующие гетеропереходы, обеспечиваю5 щие преобразование кодированной информации в. пакеты электрических зарядов . Инжектированные гетеропереходами заряды за счет диффузии перемещаются к регистру сдвига при синхронной подаче импульсов выборки и напряжения на электроды 3.

После окончания выборки на электроды 3 подается напряжение сдвига, и инжектированные заряды, отражающие структурный информационный рельеф цифрового и.аналогового кодирования, передаются во внешнюю цепь обработки данных.

Изобретение позволяет существенно упростить запоминающее устройство.

ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее полупроводниковую подложку, на одной поверхности которой нанесен изолирующий слой диэ- лектрика, электроды сдвига, нанесенные на изолирующий слой диэлектрика, чувствительный слой, нанесенный на другую поверхность полупроводниковой подложки, электрод стирания, выполненный в виде слоя прозрачного проводящего материала, нанесенного на чувствительный слой,и электрод выборки, отличающ.е е с я тем, что, с целью упрощения устройства, чувствительный слой выполнен из аморфного полупроводникового материала, а электрод выборки нанесен на другую поверхность полупроводниковой подложки изолированно от чувствительSS ного слоя. СП