Устройство для деформографических преобразований Советский патент 1975 года по МПК H04H5/66 

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДЕФОРМОГРАФИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАНИЙ

На черетеже изображено предлах аемое устройствОо.

Оно выполнено в виде многослойной, функционально неразъемной структуры и содержит следущие последовательно расположенные (от стороны экспднирующего изображения) плоскопараллельные элементы: прозрачную, например, стеклянную основу 1 прозрачный электрод 2 - электропроводя- ший слой из окиси олова; фотополупроводник 3 слой из селена толшиною 40-100 мкм; деформируемый диэлектрик 4 - диэлектрический, деформируемый при комнат™ ной температуре, слой 10-ЗО мкм, обла- дающий необходимыми значениями чести, эластичности и электропроводности и выполненный, например, из пластифицированного каучука; гибкий электрод с зеркально-отражаю11|.ей поверхностью 5 гибкая зеркально-отражающая пленка, например, полиэтилентерефталевая, толщиной 2-3 мкм, покрытая (напылепием) слоем алюминия толщиной 0,03-0,06 мкм; упруго-деформируемый прозрачный слой 6- слой эластичного прозрачного полимера толщи™ ной 50-100 мкм, выполненного, например, из пластифицированного диоктилфталатом поливинилхлорида или из пластифицированного дибутилфталатом полиметилметакрила та - вторую прозрачную основу 7, например,стеклянную.

В рабочем состоянии между прозрачным электродом 2 и слоем металла гибкого электрода 5 подключается источник э. д. с. 8 {6ОО-1000 в).

При отсутствии на фотополупроводнике 3 экспонирующего светового изображения гибкий электрод с зеркально-отражающей поверхностью 5 при включенном источнике э. д. с. 8 электростатическими силами равномерно притягивается к фотополупровод нику 3, сжимая деформируемый диэлектрик 4 и растягивая упруго-деформируемый прозрачный слой 6, но не изменяя при этом оп |тической однородности своей поверхности. При подаче на фотополупроводник 3 первичного светового (щтрикового и;гг1 точечного) изображения освещенные участки фотополупроводника 3 уменыиакл собственное элекTfiHiecKoe сопротивление и резко увеличивают локальную напряженность электрического поля в противолежащих освещенным участках деформируемого диэлектрика 4. В результате гибкий электрод с зеркально-отра- жающей поверхностью 5 на этих участках прогибается,,образуя механический рельеф (оптические неоднородности), при этом вслед а прогибами(1астягиваются прилегающие к деформированным участки следующего упруго-деформируемого прозрачного слоя 6. Оп-тическ ю неоднородности в совокупности об- разуют промежуточное изображение. При исчезновении первичного светового изображения освещенные участки фотополупроводника (З)

переходят в темновое состояние, увеличивая собственное электрическое сопротивление и резко уменьщая локальную напряженность электрического поля в противолежащих, ставшим темповыми, участках деформируемого

диэлектрика 4. Под действием упругих сил, локализованных в ранее подвергнутых растяжению участках упруго-деформируемого прозрачного слоя 6.. 1 ибкий электрод с зеркально-отражающей поверхностью 5 возвращается в исходное положение (как и при отсутствии экспонирующего изображения).

Предмет изобретения

1.Устройство для цеформографических

,преобразований при проекционном воспроизведении изображений, содержащее стеклян-,

иую основу, прозрачный электрод, фотопо- лупроводник, диэлектрический слой, второй электрод и вторую прозрачную основу, о тл. и ч а ю Ц е а с я тем, что, с целью улучшения качества изображения, второй

электрод выполнен гибким с зеркально-отражающей поверхностью, а между вторым э.чектродом и второй основой размещен прозрачный упруго.-деформируемый слой.

2.Устройство по п. 1, о т л и ч а ю I щ е е с я тем, что гибкий электрод вы- i

nojnieH в виде полимерной пленки, покрытой cjioetvj металла.

3.Усугройство по п. 2, о т л и ч а ю- щ е е с я тем, что фотополупроводник

выполнен из сериистого кадмия.

г

||1