Устройство для деформографических преобразований изображений Советский патент 1979 года по МПК G02F1/19 

УСТРОЙСТВО для ДЕФОРМОГРАФИЧЕСКИХ

(54) ПРЕОБРАЗОВАНИЙ ИЗОБРАЖЕНИЙ

Изобретение относится к области систем, отображения информации и может быть исбользовано для преобразования входного экспонирующего изобр ажения в вквивалентное механическое рельефное изображение (с целью дальнейшетчэ преобразования механического рельефа в видимое изображение путем, например, считывания рельефа световым потоком и проектирования отраженного светового потока на экран).

Такие устройства содержат последо- вательво расположенные плоскопараллельные элементы: основу, проводящее покрытие, фотопроводник, деформируемый слой и гибкий металлический слой. Между проводящим покрытием и металлическим слоем включен источник напряжения, Металлический слой обладает отттическим свойствами зеркала и, обычно, непрозрачен. Входвэе экспонирующее световое изображение преобразуется в эквивалентное механическое рельефное изображение .путем изменения влектрической напряженности в деформируемом слое под действием электрических сил, вызванных ло-. кгшьными изменениями проводимости фо- тополупровойника под действием света входного экспонирующего изображеЕИя.

Однако извес-тое устройство дае невысокое качество изображения вследствие того, что металлический слой частично пропускает падающий на него считывающий поток света. В реоультате этого наблюдается паразитная засветка фотополу1проводвика. Она создает фоновый паразитный электрический рельеф на фотополупроводннке из-ва чего ухудшаются качество образуемого механического рельефа и, как следствие, качество отражаемого от металлического слоя потока считывающего света. При этом, чем выше интенсивность считывающего света, тем выше уровень паразитной засветки.

Снижение уровня паразитной засветки за счет увеличения толщины металл | ческого слоя невозможно, поскольку сни-

жается гибкость деформируемого зеркала, а имеете с тем падает разрешающая способность устройства.

Ближайшим по технической сущности и достигаемому вф4 ек:ту к предложенному изобретению являемся устройство для деформографяь-ескш: преобразовадай, которое содержит cTOiinflHHjTo основу, прозрачный электрод, фотополупроводник, дивлектрический слой, вторую прозрачную основу и второй электрод. Второй электрод вьтолиен гибким с аеркалмо отражающей поверхностью Между вторым электродом и второй основой размещен прозрачный унруго- еформируемый слой. Гибкий электрод вьтолвен в виде поли мерной гшеккй, покрытой слоем металла, Фотополунроводник выполнен из сернистого кадмйя 2J,

Недостатком такого устройства является низкое качество изображения из-ва паразитной засветки фотополуироводника.

Цель предлагаемого Изобретения улучшение качества изображения за счет устранения паразитной засветки фотополупроводника.

Она достигается тем, что устройство содержит прозрачную, например стеклянную, основу, прозрачный электрод, вто-рую прозрачную основу, фотополупроводншс, диэлеютрйческий слой, гибкий зеркал шо-о1ражающнй электрод, прозрачный упругО яеформИруемый слой. Между фо- тополуироводНИКОМ и Гибким зеркап оотражающим электродом расположи нв- тфоэрачный слой, выполненшый из сипоаймера хлорвивала с йивилде Ехлоридом с. добавкой пигмента-глушителя.

Диэлектрический слой вьшолнен не прозрачным.

На чертеже тфедставлено предлагае мое устройство.

Оно содержит прозрачную, наиример стеклянную, основу 1, прозрачный электрод 2, вторую проарачную основу 3, фотоиолунроводнйк 4, дивяектрйческай слой 5, гибкий аеркаяшо-отражающвй электрод 6j щ озраявь й упруго-деформи руемый спой 7,

Между фотопопупроводнйком 4 и гй6 квм зеркально-отражающим елвктгюдомб растюлоядаа ветфозрачный слой 8, выпок ненный ш сосолвмера хлорвгввпа с вш ншщенкпоридом с добавкой пкгмевта глушителя. Диэлектрический слой 5 аьт полнев неирозрачвым.Прозрачная 1 предназеачена для пропускавия света вэйэдшэго ©ксвошрующего взображевнз к

отополупроводнику 4 и защиты внутренних слоев от повреждений и агрессивного действия внешней среды. Прозрачная снова 1 является основой (подложкой) ля создания опорной поверхности для слоя отополупроводника 4. Прозрачный элек- род 2 служит для подвода (одинаковоо для всей приемной поверхности фотоолупроводника 4) потенциала от внещего источника напряжения.

Вторая прозрачная основа 3 служит ля пропускания падающего при облучении и отраженного от гибкого зеркально-отражающего электрода 6 считыва- ющего света и является опорной поверхностью для упрутоняеформируемого слоя 7.

Фотопопг пррводник 4 предназначен ля создания электрического рельефа вквивалентного входному экспонирующему изображению.

Диэлектрический слой 5 предназначен для формирования механического рельефного изображения при собственном деформировани под действием электрического релье Ьного -поля.

Гибкий зеркально-отражающий элек трод 6 предназначен для подвода потенциала от внешнего источншса напряжения и отражения от него считывавмаега света.

Прозрачный упруго-деформируемый слой 7 предназначен для механического восстановления поверхности зеркальноотражающего электрода 6 после снятия входного экспонирующего изображевия.

Нещзозрачный слой 8 является светю поглощающим и вьтолвяет функцию подавления паразитного света, провускае;, ,:ч гибким зеркалшо-члражающимэлектродом 6 из-еа его паразитной светопроницаемости н зашишает фотополупроводник 4 от помеховой засветки..

Предлагаемое устройство работает следующим образом.

В рабочем состоянии на {фозрачный електрод 2 а гибкий зеркалЕ о-отражаюший электрод 6 подается вапряжевие питания ЗОО-вОО в от ввш1еего источника. На приемную сторону фотополупро- водника 4 через прозрачную основу Д

т прозрачный Ш1ектрод 2 подают световое экспонирующее изображение, а поверхность гибкого зеркалыю-отражающего электрода 6 облучают кюдупиру- емым светом. При этом npis падений облучающий свет проходит послеаователыю через вторую прозрачную основу 3 в прозрачный упруго-оеформнруемый СЛОЙ7,

а при отражении облучающий свет проходит, в обратном направлении, т.е. через прозрачный упруго-деформируемый слой 7 и вторую прозрачную основу 3.

Паразитная часть облучаюшего света проходящая через гибкий зеркалы о-отражаюший электрод 6 к деформируемый диэлектрический слой 5, гасится прозрачным слоем 8, который является светопоглошающим и вьгаолняет функцию подавледгия паразитного света, предупреждая помеховую засветку фотопопупроводЕика 4, искажающую работу устройства.

Щ)И подаче на фотополупроводцик 4 экспонирующего изображения (штрихового или точечного) освещенные участки фотополупроводника 4 повышают свою еяектрогфоводность, В результате этого увеличивается локальная напряженность электрического поля в деформируемом диэлектрическом слое 5, локаягяо деформируется гибкий зеркалшо-отражающий электрод 6, деформируются противолежащие участки прозрачного упругх)деформируемого слоя 7 и образуется рельефное изображение. После снятия экспонирующего изображения осйещен ные участки фотонолущюврдника 4 снова переходят в темновое сосохаяние. При этом исчезают локальные, несдцороднос- тй алектрического поля в деформируемом дивнектрическом слое 5 и исчезают де формирующие силы. Под действием упру-гих сил, накопленньпс в деформированных участках прозрачного упруго-деформтфуемого слоя 7, деформированные участка гибкого зеркально-отражающего электрода 6 восстанавливают исходную, например плоскую, поверхность.

Таким образом устройство работает в непрерывном режиме и ке испытывает помехового действия высоких уровней облучающего света.

Предлагаемое устройство может быть выполнено в виде многослойной функцн- онально неразъемной структуры. Однако ВТО только час-гсый случай его выполне« ния. Предлагаемое устройство может быть и любого другого конструкттгвного выполнения,

В качестве примера можно дать следующие ориентировочные размеры отдельных элементов.

Прозрачная основа 1 представляет собой стеклянную пластину толщиной мм. Прозрачный электрод 2 вы- нолнен из двуокиси олова. Вторая прозрачная основа 3 представляет собот

стеклянную пластину толщиной Ю-15 мм, Фотополупроводвик 4 представляет собой спой толщиной 4О-12О мкм, содержащий сернистый кадмий. Толшина диэлектричес 5 кого слоя равна 10-ЗО мкм. Гибкий зеркал ьно-стражаюшйй аяектрод 6 может - быть вьгаолвен из полиэтнлентерефталат ной плен1ш толщиной 1-3 мкм, покрытой напыленным слоем алгомввея толщиной 10 0,03-0,06 мкм.

Прозрачный упруго-деформируемый слой 7 представляет с обой слой эластомера толщиной 50-900 мкм, Непрозрачныйслойв вьтолнен из сополимера хлорвинила с 15 винйлдепхлоридом с добавкой пигмента- . глущителя, Толшяна непрозрачного слоя 8 равна мкм.

Технико-экономический эффект изобре-0теийя заключается в улучшении качоугва проекционного Езображения за счет уст ранения паразЕтной засветка фотополупроводника от облучающего света. При этом увеличиваеася верхний допустимый

21предел штевсивиостн облучаюшего считывающего света, который необход ШМЕО повыщать для получения ярких изображейий на проекционных экранах болыавх размеров.

30

Формула азобретеаня

5 Что, с целью повышения качества изображения за счет устранения паразитной засветки фртополупроводншш, непрозрачный слой расположен между фотополупро- водником и гибким зеркально-отражаю

с щим электродом.

f

3, Устройство по Q.I, о т л и ч аю ш е е с я тем, что двелектрнческий спой выполнен непрозрачным.

Источннкн ннформацвн, принятые во ввнманне 1фв вкснертизе:

/ г «

567