Устройство для контроля толщины и скорости осаждения тонких пленок Советский патент 1975 года по МПК G01N15/02 C23C13/00 

2 с каждым из электродов 4 и 3, а толщиной и характеристиками диэлектрика пленки 1.

При напылении металлической пленки до первой критической толщины растут гранулы пленки, вследствие чего увеличивается эффективная поверхность плеики и соответственно растут емкости конденсаторов 9 и 10 (фиг. 3). Придостижении первой критической толщины гранулы замыкаются между собой, рост эффективной поверхности пленки прекращается, вследствие чего при толщине металлической иленки более первой критической емкости конденсаторов 9 и 10 не изменяются.

Сдвиг резонансной частоты резонатора 3 вследствие напыления металлической пленки до первой критической толщины измеряется в процессе напыления. При отладке оборудования строят тарировочные графики, связывающие толщину металлической пленки определенного материала с величиной сдвига резонансной частоты (изменением емкости коиденсаторов 9 и 10). Скорость изменения резонансной частоты свидетельствует о скорости роста пленки.

П р е д м е т изобретен и я

Устройство для контроля толщины и скорости осаждения тонких пленок, содержащее иланарный конденсатор, микрополосковый резонатор и реактивный щлейф, отличающеес я тем, что, с целью повыщения точности контроля, планарный конденсатор выполнен в виде последовательно нанесенных слоев диэлектрической и контролируемой пленок в пространстве между концами микрополоскового резонатора и реактивного щлейфа.

uzJ

фиг. 2