Ждущий мультивибратор Советский патент 1975 года по МПК H03K3/284 

на уровне напряжения основного источника 13 питания. При выборе резистора 7 из условия насыщения транзистора 3, последний будет насыщен . В его коллекторной цепи протекает ток, несколько больший пикового тока туннельного диода 12. Последний будет включен. Времязадающий конденсатор 10 заряжен до напряжения основного источника 13 питания. С приходом отрицательного запускаюп1его импульса, транзисторы 1 и 2 переключаются. Транзистор 1 н:асышается на время формирования выходного импульса на ;соллекторе транзистора 2. Конденсатор 10 перезаряжается через резистор 8 на основной источник 13 пита1шя. После насыщения транзистора 1 потенциал эмиттера тран зистора 3 будет близок к потенциалу кор пуса. Потенциал базы транзистора 3 остается отрицательным и равным напряжению основного источника 13, Поэтому транзистор У на время разряда конденсатора 10 запирается. Его колле1 торный ток падает до величины обратногоТ1эка Эко меньшей тока выключения туннельного диода 12. Туннельный диод лавинно выключается, и напряжение на его катоде принимает ниэкий, близкий к нулевому, уровень. Когда напряжение на конденсаторе Ю переходит через нулевой уровень, транзисторы 1 и 2 переключаются. Формирование напряжения на коллекторе транзистора 2 заканчивается. Конденсатор 1О начинает восстанавливать исходный уровень напряжения, заряжа ясь от источника 14 через резистор 4 и эмиттерный переход транзистора 2. Напрян жение на коллекторе транзистора 1 по мере заряда конденсатора 10 по абсолютной величине увеличивается. Однако транзистор 3 остает ся запертым, поскольку напря жение на коллекторе транзистора 1 и на SNuiTTepe транзистора 3 все еш- меньше напряжения источника 13, Лишь когда на „ пряжение на .конденсаторе 1О переидет уро вень напряжения источника 13 питания, транзистор 3 откроется и появится его кол лекторный ток. Когда этот ток превысит пнкоБый ток туннельного диода 12, последНИИ включится и на его катоде появится высокий ypoBeiib выходного напряжения. Фо мирование выходного напряжения закончитс Однозременно с окончанием выходного кмгпульса заканчивается и процесс восстановления мультивибратора, т.е. схема готова к повторному запуску. Выходнык и точками устройства являются:а) Выход Д , соответствующий катоду туннельного диода L2. На этом вы;:оде формируется импульс длительностью Тх tp tgTi fle tp - время перезаряда конденсатора 10 через резистор S.tg время восстановления исходного напряжения на конденсаторе 10. Напряжение на выходе Л имеет амплитуду, равную перепаду напряжения на туннельном диоде 12 при переключении. Оба фронта выходного импульса на выходе А являются регенеративными, длительность их очень мала. б) Выход Б I соответствующий KOJ лектору транзистора 3. Длительность этого импульса практически та же, что и на выходе Д , однако задний фронт выходного импульса не является регенеративным и имеет большую длительность. Амплитуда импульса на выходе 5 близка к напряже- нию источника 13, т.е. существенно больше, чем на выходе л . в) Выход В , соответствующий коллектору транзистора 2. Длительность импульса на этом выходе короче, чем на выходах АИ 2 , и составляет величи- ну tp 0,7 ftg ,где и Jg - номиналы конденсатора 10 и резистора 8. Выход Л схемы в данном случае является основным. к достоинствам схемы относится: - возможность получения импульсов разной длительности на выходах А и В регенеративный характер формирсзания переднего и заднего фронта выходного импульса на каждом из ЕТИХ выходов схемы - малое время восстановления, которое сведено практически до нуля и не зависит от нагрузки и параметров ключевого каскада, - хорошая повторяемость параметров мультивибратора, так как коэффициент усиления дополнительного ключевого транзистора 3 на длительность выходного импульса не влияе Предмет изобретения Ждущий гультивибратор, формирующий импульсы двух различных длительностей, содержащий два основных транзистора с коллекторно-базовыми связями, дополните- льный транзистор противоположного типа проводимости и источник питания, отличающийся тем, что, с целью устранения влияния коэффициента усиления дополнительного транзистора на величину длительности одного из выходных :;СОВ и уменьшения длительности (понтов выходных импульсов, база дополнительного тра 1зигтора подключена к клемме источника питания, коллектор через последовательно соединенные резистор и туннельный диодк обшей шине, эмиттер - к коллектору закрытого в исходном состоянии .основного транзистора, коллекторный резистор которого подключен к допол1штельному источнику питания.

1--Ц Выжо Б п П

Ж . , П« D