Аналоговая линия задержки на приборах с зарядовой связью Советский патент 1975 года по МПК H01L19/00 H03H11/00 

(54) АНАЛОГОВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ПРИБОРАХ

СЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ деленные от полупроводниковой пластины тонким слоем диэлектрика (на чертеже не показан), входную легированную область 9, источники тактовых импульсов 10, 11 и стробирующих импульсов 12. Входы 13-13подключены к со1 ; fu--L ответствующим входным цепям, имeющи соответственно легированные области 14- 14 , стробирующие электроды 15- 15 , дозирующие электроды Устройство работает следующим обраЕсли к легированной области 9 прилож но входное напряжение U подаваемое на вход 17, то в ней устанавливается потенциал U . Под действием импульса вх Р от источника тактовых импульсов 10 потенциалы распределяются, как показано на фиг. За. Под действием стробирующего импульс р от источника 12 под электродом 1 устанавливается потенциал Ti тенциальная яма под электродами 1 и 2 заполняется неосновными носителями. В результате под электродами 1 и 2 потенциал поднимается до уровня Ф U 2 вх (см. фиг. 26). Далее потенциальный барье между легированной областью 9 и электро дом 2 восстанавливается, и под электро дом 2 остается заряд неос:новных носителей (см. фиг. 2в). Под действием импульса от источника 11 заряд передается в потенциальную яму под электродом 3, и так. далее. Конструкция электродов или профиль окисла под ними должен быть таким, что- бы обеспечивалось ступенчатое распределение потенциала для однонаправленного распространения заряда. Предмет изобретения Аналоговая линия задержки на приборах с зарядовой связью, содержащая полупроводниковую пластину, стробирующий, дозирующий электроды, электроды переноса заряда, отделенные от полупроводниковой пластины тонким слоем диэлектрика, входную легированную область, выполненную в полупроводниковой пластине и соединенную зарядовой связью с объемом полупроводниковой пластины под первым электродом переноса заряда, первый и второй источники тактовых импульсов и источник стробирующих импульсов, отличающаяс я тем, что, с целью аналогового векторного суммирования входных сигналов с задержкой относительно первого входного сигнала на k k ,... периодов тактовой частоты, на - полупроводниковой пластине дополнительно выполнены (frj,-1) входные цепи, каждая из которых имеет легированную область, стробирующий и дозирующий электроды, причем стробирующие электроды ( Ш -1) входных цепей подключены к источнику стробирующих импульсов, их дозирующие электроды - к первому источнику тактовых импульсов, а легированные области соединены зарядовой связью с объемами полупроводниковой пластины, расположенными под 2k , 2kэлектродами переноса заряда.

Ф .1

//У// w-/

Фиг 2

а

%

vvvx/Vl

б %

fi I n / 2

II

;

л

/

УУ77/Ж