(54) А НА ЛОГО-ДИСКРЕТНЫЙ ПРЕОБ ГААЗОВ ATE ЛЬ
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Ждущий мультивибратор | 1979 |
|
SU815869A1 |
| Генератор импульсов на однопереходном транзисторе | 1973 |
|
SU488325A1 |
| РЕЛЕ ВРЕМЕНИ | 1972 |
|
SU423194A1 |
| Автоколебательный генератор | 1976 |
|
SU635597A1 |
| Устройство для регулирования температуры | 1976 |
|
SU593199A1 |
| Устройство регулируемой задержки импульсов | 1973 |
|
SU486465A1 |
| Устройство для электроэрозионной обработки | 1985 |
|
SU1289634A1 |
| Устройство для защиты электродвигателя переменного тока от перегрузки | 1981 |
|
SU993378A1 |
| Селектор импульсов по частоте следования | 1974 |
|
SU499660A1 |
| Реле времени | 1981 |
|
SU951455A1 |
1
Изобретение относится к области полупроводниковой импульсной техники и может использоваться в аппаратуре автоматики, телеметрии и счетной техники в качестве устройства, преобразующего различные аналоговые величины - сопротивление, ток, освещенность, температуру - в частоту следования импульсов.
Известен аналого-дискретный преобразователь, содержащий релаксатор на однопереходном транзисторе и два трапзистора разного типа проводимости.
Для увеличеР ия коэффициента перекрытия по частоте и повышение температурной стабильности в предлагаемом анялого-дискрет ном преобразователе эмиттер первого транзистора соединен с коллектором второго, база которого соединена с первой базой однопереходного транзистора, а к эмиттеру однопереходного транзистора подключен
анод диодя, коллектор первого транзистора и накопительный конденсатор, катод диода подключен к эмиттеру первого транзистора, .а база первого транзистора и эмиттер второго подключен к источнику питатгая.
На чертеже представлена принпипиальная схема аналого-дискретного преобразователя.
Он содержит одпопереходный транзистор 1, два транзистора 2 и 3 разного типа проводимости, диодь 4 и 5, накопительный конденсатор 6, резисторы 7 и 8.
При подаче управляющего напряжения ( (J ) на эмиттер транзистора 2 он открывается и током коллектора заряжает конденсатор 6. Нри достижении напряжения на конденсаторе 6 достаточной для включпния однопереходного трапзистора 1 Г1елпчины последний включается, разряжает конденсатор и вырабатывает выходной импульс, снимаемый с резистора 8. Эгот импульс является отпирающим для транзистора 3.
При заряде конденсатора 6 транзистор 3 находится включенным и не влияет на процесс заряда конденсатора 6. Выключенпоп состояние транзистора 3 обеспечивается тем, что при малой величине резистора 8 напряжение на нем менее напряжения отсечки транзистора 3. При разряде кондонсатора 6 транзистор 3 включается, входит
в режим насыщения и связывает эмиттер транзистора 2 с минусом источника питания Е, Отрицательное напряжение на эмиттере запирает транзистор 2. При этом зарядная цепь отключается от эмиттера. Выключение зарядного транзистора 2 позволяет отключать однопереходный транзистор 1 при зарядных токах, превышающих ток его выключения.
Использование повыщенных зарядных токов улучшает температурную стабильность устройства и увеличивает диапазон перекрытия по частоте.
После выключения транзистора 1 ток ; коллектора транзистора вновь увеличивает,ся до прежней величины, и в преобразователе повторяются процессы.
4
формула изобретения
-г Аналого-дискретный Преобразователь, содержащий релаксатор на однопереходном транзисторе и два транзистора разного типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента перё1фь гтйяпо частоте и повыщения температурной стабильности, эмиттер первого транзистора соединен с коллектором второг база которого соединена с первой базой однопереходного транзистора, а к эмиттеру однопереходного транзистора подключен анод диода, коллектор первого транзистора и накопительный конденсатор, катод .диода подключен к эмиттеру первого тран1зистора, а база первого транзистора и эмиттер второго подключены к источнику питания.
-
0-f-
