Фазоимпульсный многоустойчивый элемент Советский патент 1975 года по МПК H03K25/00 H03K3/42 

(54) ФАЗОИМПУЛЬСНЫЙ МНОГОУСТОИЧИВЫЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к области импульсной техники. Известен фазоимпульсный многоустойчи вый элемент, содержащий схему объединения, накопитель, компаратор, разрядную цепь и источник питания. Цель изобретения - упрощение устройст , и увеличение числа устойчивых COCTOS Для этого в предлагаемом фазоимпуль сном многоустойчивом элементе (ФИМЭ) накопитель выполнен в виде оптоэлектрон- : ной пары светодиод-двухполюсная структура: металл-диэлектрик-полупроводникднэлектрик-металл (МДПДМ), причем анод светодиода подсоединен к выходу схемы объединения, катод через разгрузочный резистор - к общей шине, один полюс двухполюсной структуры МДПДМ подсоединен .через резисторы к общей шине, ко входу компаратора и выходной шине элемента, а другой полюс - через резистор к источнику питания и через конденсатор к выходу ком паратора. На чертеже изображена принципиальнаясхема оптозлектронного ФИМЭ.I В его состав входят световой диод 1, двухполюсник 2 с многослойной структурой - металл-диэлектрик-полупроводникдиэлектрик-металл (МДПДМ), диоды 3 и 4, резисторы 5 и 6 и транзистор 7. Фазоимпульсный многоустойчивый элемент работает следующим образом. На диоды 3 и 4 поступают последовательно импульсы Нр и И ( i ). С резистора 5 импульсы поступают на световой диод 1. Последний при этом излучает световую энергию, направленную на двухполюсник 2 (МДПДМ). Если на вход схемы поступают только импульсы И,:;, то световой импульс, вызванный каждым импульсом этой последовательности, вызывает появление соответствующего количества электронно-дырочных пар в объеме полупроводника, что, в свою очередь, обеспечивает прирашение абсогартной величины поля в диэлектрике диода. о поступлении -эй порции световой энергия поле в диэлектрике достигает такой величи-

3

ны, что вызьгеают лавинообразный пробой МДПДМ. Через двухполюсник 2 начинает протекать ток, образуя при этом падение напряжения на резисторе 6. При появлении: напряжения на резисторе 6 открывается , g ранее закрытый ключ на транзисторе 7. На коллекторе транзистора 7 возникает перепад напряжения, примерно равный по величине непряжению источника питания Е . Через конденсатор 8 этот перепад посту- ю пает на МДПДМ, нейтрализуя питающее напряжение Е. За счет этого пробой двухполюсника 2 прекращается, поле в диэлектрике падает, притянутые ранее дейс- , |ТВием поля к гранииак« диэлектрик-полупро-i is ьодник носители рассасываются, вновь равномерно распределяясь в объеме полупроводника. В результате этого МДПДМ вновь готов повторить процесс накапливай ния энергии, получаемой от светового ди- 20 ода 1. В то же время напряжение светового диода 1 упало до нуля, транзистор 7 закрывается. Следовательно, на коллекторе транзистора 7 от каждого И -го импульса, Ит формируется последовательность отри- 25 дательных импульсов, следующих с перио:ЯОМ р

Эту аоследовательность импульсов

нимаем за опорную последовательность И .

. О.1

, Бслн на вход схемы поступают только

импульсы и (t ), то выходная последоваи

тепькость импульсов будет сдвинута отно .сительно И по фазе на врема ;

iriT(i 0,i,2 .у -i ) .

Схема может находиться в одном из устой-; -чивых сосгряний, характеризующихся фазой (сдвигом ti ) выходных импульсов относительно опорной последовательности имп) льсов Ио. Считьтаемые импульсы И (t ) могут появляться только в моменты времени, сдвинутые относительно импульсов I последовательности Ит на 0,5Т., Формула;изобретенйя.

Фазоимпульсный многоустойчивый элецв,нт, содержащий схему объединения, нако питель, компаратор, разрядную пепь, истон чник питания, отличак)щийся тем, что, с целью упрощения устройства и увеличения числа устойчивых состояний накопитель выполнен в виде оптоэпектрон-. ной пары светоднод-двухполюсная структур; ра: металл-диэлектрик-полупрсводник-ди- ; электрик-металл (МДПДМ), причем анод ; светодиода подсоединен к выходу схемы объединения,катод-череа нагрузочный резистор к общей шине, один полюс двухп люсной с груктуры МДПДМ; подсоединен через резисторы к общей шине, ко входу компаратора и вьрсодной щине элемента, а другой полюс- через резистор к источнику питания и через конденсатор к выхо. ду компаратора.

.1

«3

HID