Способ исследования гальвано-магнитных свойств кристаллов Советский патент 1976 года по МПК G01N27/72 G01N27/46 

1

Изобретение может быть использовано для измерения гальваномагнитных эффектов в полуметаллах, полупроводниках в широком диапазоне магнитных полей, давлений и температур с целью определения деформации энергетического спектра этих кристаллов. Оно может быть применено в любой области техники, где одновременное воздействие импульсного магнитного поля до 200000 э, давлений до 20000 атм и температур в интервале 4,2 - 300° К дает остаточные эффекты.

Известен способ исследования гальваномагнитных свойств кристаллов, при котором используют камеру высокого давления, расположенную внутри соленоида. При разряде на нем батареи импульсных конденсаторов магнитное поле полностью проникает внутрь камеры, не изменяя формы импульса, так как камера выполнена из высокоомного материала, при этом магнитное поле изменяется со временем по закону затухающей синусоиды.

Недостатком известного способа является то, что при исследовании кристаллов с большой проводимостью в знакопеременном импульсном магнитном поле с длительностью импульса до 1 мсек из-за скин-эффекта магнитное поле не проникает на всю толщину образца. Для увеличения глубины проникновения поля в образец необходимо дополнительно увеличить сопротивление образцов с помощью постоянного поля. В условиях одновременного воздействия высокого давления до 20 000 атм, сильного импульсного магнитного поля до 200 000 э и низких температур

измеряемые величины в полумета тлах могут быть искажены паразитными наводками, возникающими в потенциальных выводах.

Целью изобретения является исключение реверса магнитного поля и получение остаточь:ых эффектов в кристаллах.

Поставленная цель достигается тем, что на образец, находящийся под давлением до 20 000 атм и более и в интервале температур 4,2 - 300° К, воздействуют импульсным

магнитным полем одной полярности с экспоненциальным спадом. Способ реализуется устройством, снабженным одним вентилем или несколькими параллельно соединенными силовыми полупроводниками вентилями, включенными параллельно соленоиду.

Когда напряжение достигает нулевого значения в первый полупериод разряда конденсаторов, вентили открываются, соленоид закорачивается, и ток, протекающий через соленоид,

спадает по экспоненциальному закону. Таким образом, магнитное поле, создающееся внутри соленоида и камеры, расположенной в нем, изменяется по экспоненциальному закону с удлинением периода и не меняет знака, поэтому глубина проникновения магнитно