Магниточувствительный элемент Советский патент 1983 года по МПК G01R33/00 

8 1

2 7

ел

о СП

ND

;о

J J5 Изобретение относится к магнитсг чувствительным полупроводниковым элементам и может быть использовано в области измерения магнитных полей, а также в автоматике и измерительной технике. Известен магниточувствительный элемент с электрически управляемой чувствительностью, содержащий прямоугольную полупроводниковую пластину с двумя токовыми торцами .на противоположных концах, область повышен ной скорости рекомбинация носителей тока на одной из граней пластины и изолированный слоем диэлектрика управляющий электрод. В известном элементе ограничен динамический диапазон, так как вслед ствие режима двойной инжекции, при котором элемент чувствителен к магнитному полю, изменение поверхностной рекомбинации на грани с электродом сильно влияет на концентрацию неравновесных (инжектированных) носи телей тока как при наличии магнитного поля, так и него. Целью изобретения является расишрение динамического диапазона элемента. Поставлеяная цель достигается тем что управляющий электрод расположен на одной из граней полупроводниковой пластины, перпендикулярной направлению действующего магнитного поля, и грани с областью повышенной скорости рекомбинации носителей 52192 тока, причем торцы элемента имеют омические контакты. На чертеже дано схематическое (изображение магниточувствительного элемента, 5 Прямоугольная полупроводниковая пластина 1 содержит приложенный к грани 2 через слой диэлектрика 3 металличейкий электрод 4. Перпендикулярная грани 2 грань 5 имеет область б с большой скоростью рекомбинации носителей тока. Торцы пластины имеют омические контакты 7 и 8. При помещении элемента в магнит15 нов поле Н, направление которого перпендикулярнр траки 2 с электродом, и пропускании через него электрического тока, в направлении грани 5 с областью большой скорости рекомбина0 возникает сила Лоренца и происходит отступление концентрации носителей тока от равновесной. Величина средней неравновесной концентрации тока, определяющая магниточувстви25 тельность элемента, зависит от скорости поверхностной рекомбинации на грани 2, управляемой напряжением на металлическом электроде. Вследствие омического режима сопротивление элемента изменяется от напряжения на электроде только при наличии магнитного поля, так как без него неравновесные носители отсутствуют. Этим расширяется динамический диапазон элемента.

МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕ- ' МЕНТ, содержащий прямоугольную полупроводниковую пластину с двумя токовыми электродами на противоположных торцах, область повышенной скорости рекомбинации носителей тока на одной из граней пластины и изолированный слоем диэлектрика, управляющий электрод, отличают-и и* с я тем, что, с целью расширения динамического диапазона, управляющий электрод расположен на одной из граней полупроводниковой пластины; перпендикулярной направлению действующего магнитного поля, и грани с областью повышенной скорости рекомбинации носителей тока, причем торцы пластины снабжены омическими контактами.