Датчик магнитного поля Вальтаса Советский патент 1983 года по МПК G01R33/02 

f у

,ff

J

1.Датчик магнитного поля, содержащий полупроводниковую пластину с токовыми электродами на ее торцах, двумя равными по площади областями с различными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока на одной из граней, выходной электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, на половине грани полупроводниковой пластины выполнен токопроводящий растр, а область с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока расположена на одной из граней пластины, перпендикулярной грани с токопроводящим растром. 2. Датчик по п. 1, о т л и ч а ющ и и с я тем, что скорости поверхностной рекомбинации носителей тока выбраны из соотношения S. где s, 82 - скорости поверхностной рекомбинации носителей тока соответ(О ствующих областей.

/

ч Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано в устройствах автоматики и измерительной техники. Известен датчик магнитного поля, содержгиций полупроводниковую пласти ну с токовыми электродами, установленными на ее торцах, и областью с повышенной скоростью поверхностно .рекомбинации носителей тока, расположенной на одной из граней пластины и занимающей половину ее площади выходной электрод, установленный между областями с различными скорос тями поверхностной рекомбинацииносителей тока ClJ. Недостатком данного датчика явля ется сравнительно низкая чувствител ность к магнитному полю из-за малого пути прохождения носителей тока и однопорядкового изменения сопроти лений обеих частей .пластины. Цель изобретения - повышение чув ствительности датчика магнитного поля. Поставленная цель достигается те что в датчике магнитного поля, соде жащем полупроводниковую пластину с токовыми электродами на ее торцах, двумя равными по площади областями с различными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока на одной из граней, выходной электрод, на половине грани полупроводниковой пластины выполнен токопроводящий расур, а область с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока расположена на одной из граней пластины, перпендикулярной грани с токопроводящим растром. Кроме того, скорости поверхностной рекомбинации носителей тока выб раны из соотношения , где S, S- -скорости поверхностной рекомбинации носителей тока соответствующих областей. На чертеже представлен, предлагаемый датчик магнитного поля. Датчик содержит полупроводниковую пластину 1, к торцам 2 которой присоединены токовые электроды 3. Грань 4 пластины 1 имеет область 5 с повышенной и область 6 с меньшей скоростями поверхностной рекомбинации .носителей тока, занимающие соответствующую половину площади грани 4. На половину грани 7 пластины 1 нанесен токопроводящий растр 8, крайний проводник -9 которого служит основанием выходного электрода 10. Отношение скоростей поверхностной рекомбинации области 5 и области 6 выбрано не меньшим-двгщцати (/20). Скорость поверхностной рекомбинации на грани 11, параллельной грани 4, такая же, как в области 6. Датчик магнитного поля работает следующим образом. . При воздействии магнитного поля параллельно грани 4 на пластину 1, по которой между контактами электродов 3 и по растру 8 протекает электрический ток, происходит перераспределение носителей тока в сечении между гранями 4 и 11. При этом изменение сопротивления части пластины 1 с растром 8 значительно превышает изьленение сопротивления другой части пластины 1. Разностный сигнал частей пластины 1 пропорционален значению напряженности, воздействующего на датчик магнитного поля. . Исследование предлагаемых датчиков магнитного поля показало, что при отношении скоростей поверхностной рекомбинации носителей тока, не меньшим двадцати, чувствительность на два порядка превышает чувствительность датчика, выбранного в качестве прототипа.