Мембранный тензорезистор Советский патент 1976 года по МПК H01C10/10 

(54) МЕМБРАННЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР

1

Изобретение относится к конструкции мембранных тензорезисторов и может быть использовано в технике измерения усилий.

Мембранные тензорезисторы широко применяются для измерения давления газов и жидкостей.

Известен мембранный тензорезистор, выполнеппый в виде соединенных последовательно друг с другом и концентрично расположенных на электроизоляционной подложке наружных и внутренних тензоэлементов. Наружные в форме меандра и внутреипие в форме полуколец тензоэлементы известного тензорезистор а расположены по обе сторопы от окружности, на границе которой радиальные напряжения меняют свой знак при действии на мембрану равномерно распределенного давления.

Известный мембранный тензорезистор при измерепии осевых усилий имеет понижеипую чувствительность, поскольку средняя величина тангенциальных напряжений в области расположения внутренних тензоэлементов значительно меньше средней величины радиа.чьных напряжений.

Цель нзобретения - повышение чувствительности мембранного тензорезистор а при изменении осевых усилий.

Это достигается тем, что в предлагаемом тензорезисторе наружные и виутреиние тензоэлементы расположены по обе стороны на равном расстоянии от окружности, на границе которой радиальные напряжения меняют знак, причем внутренние тензоэлементы выполнены в форме меандра.

На чертеже представлен предлагаемый тензорезистор. Он содержит электроизоляционную подложку 1, два внутренних 2 и два наружных 3 тензоэлемента, выполненных в форме меандра и расположенных по обе стороны от окружности 4, на границе которой радиальные напряжения меняют зиак.

Предлагаемый мембранный тензорезистор работает следующим образом.

Под воздействием осевого усилия, приложенного к мембране, на поверхности которой закреплен тензорезистор, мембрана деформируется. Тензоэлементы воспринимают радиальные деформации поверхности мембраны и преобразуют их в изменение электрического сопротивления тензорезистора, которое затем изменяется известной вторичной аппаратурой, на чертеже не показанной.

Использование предлагаемой конструкции мембранного тензорезистора позволит повысить чувствительность тензорезистора нри измерении осевых усилий.

Формула изобретения

осевых усилии, наружные и внутренние пензоэлементы расположены по обе стороны от окружности, на границе которой радиальные напряжения меняют знак, причем внутренние тензоэлементы выполнены в форме меандра. 2. Тензорезистор по п. 1, отличающийся тем, что тензоэлементы равноудалены от окружности, на границе которой радиальные напряжения меняют знак.