Датчик неэлектрических величин стоковым выходом Советский патент 1976 года по МПК G01D3/02 

Напражение (/ равно -напряжение источника питания;-ток в линии связи; - полное сопротивление линии связи; - входное сопротивление регист рируюшего прибора. Максимальное напряжение 1Ц , кото максрое можно подавать на входы 2 и 7 датчика, определяется суммой опорных напряжений стабилитронов 3 и 8 и максимально допустимым напряжением базаколлектор основных транзисторов 4 и 9, что обычно составляет величину порядка 2-3 в. При появлении на входах 2 и 7 датчика напряжения Ц к базе транзистора 9 подается опорное напряжение Щ , величина которого определяется характеристиками стабилитрона 3. Одновременно с этим через чувствительный элемент 12, величина сопротивления которого изменяется про- порционально изменению измеряемой физиче кой величины, напряжение 1J подводится к базе транзистора 5, который в паре с транзистором 9 представляет собой составной транзистор, коэффициент усиления которого в раз (где - коэффициент усиления дополнительного транзистора 10) больше, чем коэффициент усиления одного тран- аистЬра 9. В результате величина эмиттер- ного тока транзистора 9 определяется величиной коллекторного тока транзистора 5, что обеспечи вает увеличение чувствительности датчика в диапазоне его измерений. К базе транзистора 4 подается опорное напряжение, определяемое характеристиками стабилитрона 8, а величина э 4иI гepнo- го тока этого транзистора определяе1х;я колле1Кторным током дополнительного транзистора 10, который определяется величиной сопротивления чувствительного элемента 13. Резистор обратной связи 11 служит для компенсации разбросов параметров ipaaзисторов и для термостабилизации. Увеличение чувствительности датчика достигается за счет того, что большие коэффициенты усиления увеличивают крутизну выходной токовой характеристики дат чика (кривая П на фиг. 2). Формула изобре тенияДатчик неэлектрических величин с токо вым выходом, содержащий в качестве чувствительного элемента активные сопротив- ления, линию связи и выполненный в виде двух транзисторов p-tt-p и ftr-p-il типов таким образом, что коллектор каждого транзистора соединен с базой другого, их эмит- теры соединены через резистор обратной связи, а в коллекторную цепь каждого транзистора включен стабилитрон, о т л и ч а к щ и и с я тем, что, с целью повышения чувствительности датчика, в рассечку эмиттерно й цепи каждого транзистора включен дополнительный транзистор той же проводимости; причем активные сопротивления втючены между базами основных и соответствующих дополнительных транзисторов, а датчик подключен к.линии связи в местах соединений эмиттеров дополнительных транзисторов и стабилитронов.