Нейристор Советский патент 1976 года по МПК H01L49/00 H01L27/00 H03K19/168 

1

Изобретение относится к радиоэлектронике, может быть использовано в телевидении, радиолока: ;ионной и вычислительной технике.

Известны нейристоры, состоящие из параллельно включенных RC-цепочек и элементов ,

с 3 -образной вольтамперной характеристикой.

Такие :ейристоры одинаково проводят сигналы в любых направлениях и скорость движения этих сигналов определяется толь- JQ ко параметрами нейристоров. В обесточенном состоянии они теряют полученную информацию, а их интегральные схемы с расгоеделенными параметрами имеют слишкой ложную многослойную структуру.,«

Цель изобретения - получение реверсиро ванного движения зоны возбуждения с пере менной скоростью и запоминанием положения зоны возбуждения в обесточенном состоянии.

Предлагаемый нейристор сугличается тем, 20 что распределенная ЯС-цепочка выполнена в виде ферритовой пленки с прямо-тольной Петлей гистерезиса и нанесена на токопро- водящий электрод, который соединен с реверсируемым источником тока и подключен25

через переменный резистор к одному из полюсов источника питания, второй полюс которого соединен с гюугим токопроводящим электродом, нанесенным на пленку материала с В -образной вольтпмперной хаорактеристикой, например халькогенидного стекла, покрывающего ферритовую пленку.

Не чертеже изображен разрез нейристо- :ра в интегральном исполнении. , Токопроводяшее основание 1, покрытое тонкой фчрритовой пленкой 2 с прямоугольной петлей гистерезиса и пленкой халькогенидного стекла 3 сеймметримной $-образной вольтамперной характеристикой, подключено к источнику реверсируемого тока 4 и соед11Иено с другим токопроводяшим |эпентродом 5 через переменный резистор 6 и нЕточн.к питания 7.

При включении нейристорв ток реверса от источника 4, проходя вдоль оснивания :1, создает в пленке 2 магнитное поло, а ток зоны возбуждения форм1фует вокруг себя дополнительное магнитное поле, кото|рое слева от зоны возбуждения склалыва- ется с полем тока реверса, а спрппп - вы- читается из него. Поэтому магнитная индукция в пленке скачкообразно изменяется только справа от зоны возбуждения, Какг известно, такое изменение индукци магнитного поля сопровождается возникно м вением электрического поля, которое в С(ответствии с законом электромагнитной индукции стремится вЬтзвать электрический ток, направленный навстречу исходному. Но после исчезновения токопроводящего канала в этой |же точке ферритовой пленки восстанавливается первоначальное значение электромагнитной индукции и наводится электрическое поле противоположного направления., Если нейристор обесточивается, участок ферритовой пленки, непосредствекно./ прилегающий к зоне возбужденин, перемагничивается по отношению к остальному объему пленки. Поэтому при новом включении нейристора в этом участке пленки скач кообразно изменяется Магнитная индукция и наводится дополнительное напряжение, которое переводит з гтроводящее состояние участок пленки халькогенидного стекла, | находящийся над перёмагниченнымуяяст- i ком ферритовой Пленки,Таким образом, возобновляется движение зоны возбуждения из положения, предшествующего момен ту выключения нейристора, причем направ- ление и с сорость движения определяются направлением тока реверса и сопротйвле- нием переменного резистора 6. Поскольку вольтамперные характеристики халькогенидных стекол симметричны, а взаимное направление магнитных потоков в ферритовой пленка определяется также полярностью источника питания 7, реверса в случае можно достичь и путем изменения полярности источника питания, 7. Предмет изобретения Нейристор, состоящий из параллельно ключенных j I C-цепочек и элементов с §образной вольтамперной характеристикой, отличающийсй тем, что, с целью получения р ерсивного движения зоны возбуждения с переменной скоростью и запоминанием положения зоны возбуждения в обесточенном состоянии, распре-., деленная RC-цепочка выполнена в виде ферритовой пленки с прямоугольной пет лей гистерезиса-и нанесена на токопрово дящий электрод, который соединен с реверсируемым источником тока и подклк. чен через переменный резистор к однсму из полюсов источника питания, второй полюс которого соединен с другим токопроводяшим электродом, нанесенным на материала с S-образной вольтампер- ной характеристикой , например халькогенидногр стекла, покрывающего ферритовую пленку.