Буферный каскад Советский патент 1976 года по МПК H01L19/00 H03K19/08 

(54) БУФЕРНЫЙ КАСКАД

1

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в качестве буферного каскада в импульсных интегральных схемах, в частности, в схемах приборов с зарядовой связью (ПЗС).

Известный буферный каскад, обладая вы- срким,входным импедансом и низким выходным, позволяет согласовывать высокий выходной импеданс различных схем- с низким импедансом нагрузки. Известны буферные каскады на однотипных} бйпол$фных илиМДПтранзисторах, на комплементарных парах МДП-или биполярных транзисторов. Однако в раде случаев более удобны схемы, содержащие одновременно н биполярные и МДП- транзисторы.

В известном буферном каскаде использован эмиттерный повторитель на биполярном транзисторе, нагрузкой которого служит

МДП|-транзистор. Затвор МДП- ранзистора соединен с шиной питания, на которую поданы тактовые нмпульсы, причем эмиттер биполярного транзистора присоединен к истоку МД11-транзистора.

Недостатком этого устройства является потребление мощности во время подачи тактовых импульсов, что снижает экономичност схемы.

Цель изобретения - повышенна экономичности буферного каскада.

Поставленная цель достигается тем, что в буферном каскаде, содержащем МДП-транзнстор и биполярный транзистор, эмиттер. ..Которого соединен с истоком МДП-транзистора, затвор МДП-транзистора соединен с базой биполярного.

На фиг. 1 приведена электрическая схема предложенного каскада; на фиг., 2 - реализация этой схемы на полупрюводниковой подложке.

Буферный каскад содержит биполярный транзистор 1 и МДП-транзистор 2. Коллектором биполярного транзистора является по1лупроводниковая подложка 3, например, п типа проводимости, базой 4 - область р типа, эмиттером 5 - области ц -типа проводимости. Исток 6 и сток 7 образованы областями .И -типа, между которыми на слое, окисла 8 расположен затвор 9.