Фотоэлектрический эмиттер Советский патент 1978 года по МПК H01J39/06 

1

Изобретение относится к эмиттерам электронов, работающим в высоKCW вакууме, в частности к фотокатодам, и используется в технологии вакуумных фотоэлементов и фотоумножителей.

Известен фотоэлектронный эмиттер на, ЪСнове твердого раствора 3 As

WОднако в известных эмиттерах наблюдается сублимация его компонентов в вакууме при более ниэких температурах, чем достаточные для надежной очистки его поверхнобти.

Известен также фотоэлектронный эмиттер, чувствительный в оптическом диапазоне длин волн светового излучения, содержащий основу из полупроводникового материала с дырочной проводимостью и покрытие из щелочного металла и кислорода, активирующее поверхность основы до состояния отрицательного электронного сродства 2

Однако этот эмиттер имеет неоднородную основу, что приводит к ухудшению характеристик недостаточной .устойчивости основы к температурным воздействиям.

Цель изобретения - повышенна термической устойчивости и однородности основы эмиттера.

Для этого основа выполнена из полупроводниковых соединений типа А .

Фотоэлектронный эмиттер, выполненный на основе соединений типа А В С| , HanpHMepZnGePj , обладает более высокой однородностью и возможностью длительного воздействия повышенной температуры при очистке его основы.

Форалула изобретения

Фотоэлектронный эмиттер, чувствител ный в оптическом диапазоне/ длин волн светового излучения, содержащий основу из полупроводникового материала с дырочной проводимостью

и покрытие из щелочного металла и кислорода, активирующее поверхность основы до состояния отрицательного электронного сродства, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения термической устойчивости и

я-519042м

в (.

однородности, основа выполнена из .,i.Baee 1l.E.,SpVcep W.E- Proceed. ЗЕЕЕ,

полупроводниковых соединений A ,v в, /1, p--f728.

Источники информации, принятые во2. Заявка ФРГ 1256808, кл,

внимание при экспертизе;21 ff 29/20 , 1970 .