Усилитель мощности Советский патент 1976 года по МПК H03F3/26 

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может испольэоватьзя в качестве вь ходного усилителя мощности в спеаяших. системах, а также в системах измерений, связи и рругик

Известен усилитель мощности, выполненный на транзисторах, включенных последовательно по постоянному току, при этом между эмиттером транзистора динамической нагрузки к коллектором управляющего транзистора включе диод, а к соответствующей шине источника питания подключен одним концом резистор смещения. ,

Однако известное устройство обладает

низким к. п. д. ,

Цель Изобретения - уменьшение мощно- cTif рассеяния усилителя.

Для этого другой конец упомянутого резистора соединен ояновремешю через другой резистор с базой транзистора динами- ческой .нагрузки и непосредственно с эмиттером дополнительного транзистора, тип проводик1&с)И которого противоположен ти1гу проводимости транзистора динамической нагрузки, при атом база транзистора дина мической нагрузки соединена с коллектором дополнителыкого транзистора, а кодлентор транзистора динамической нш-руакк- соединен непосредственно с базой дополнителного транзистора и через цепь смещения-с шиной источника питания.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема усилителя мощности.

Усилитель мощности содержит включенные последовательно по постоянному току Згпревляющий транзистор 1 и тр шзистор динамической нагрузки 2, а также дополнительный транзистор 3 и диод 4, включенный межау коллектором транзистора 1 и эмиттером транзистора 2. К коллектору транзистора динамической нагрузки 2 подключен одним концом резистор 5 ( цепь смешения), другой конец которого соединен одновременно с резистором смешения 6 и соотвегствующей шкной источника питания. Второй конец резистора смешения 6 соединен с эмиттером дополнительного 1рпнзистора 3 и другим резистором 7, соединенным вторым концом с коллектором транаисто- ра 3, баоой транзистор/1 2 и вторым днодом Х второЛ конец которого соединен с коллектором транзистора 1. Между базой управляющего транзистора 1, подключенной к входу усилителя мощности, и эмиттером транзистора динамической нагрузки 2 вклю чек конденсатор 9. Номиналы резисторов 6 и 5 выбираются из условия обеспечения полной раскачки транзистора динамической 2. Тип проводимости дополнительного транзистора 3 рртивоп6ложе1Г типу {Проводимости транзистора 2. Усилитель мощности работает следующим образом.

Входной сигнал поступает на базу управляющего транзистора 1, который управляет транзистором динамической нагрузки 2 за счет цепи смещения, состоящей из резистора 7. Транзистор 2 также управляется по цепи положительной обратной связи, состоящей из дополнительного транзистора 3 с цепями смещения на разисторах 5 и 6. При запирании управляющего транзистора 1 часть тока смещения, проходящего через резисто- , ры 6 и 7, поступает в базу транзистора 2. Транзистор 2 отпирается и коллекторный ток, проходя через резистор S, создает на нем падение напряжения, которое начинает отпирать дополнительный транзистор 3.

Усиленный транзистором 3 ток из коллектора поступает на базу транзистора 2. Резистор 7 ограничивает коллекторный ток iтранзистора 3. Запирание транзистора 2 при открытом управляющем транзисторе 1 обес печиваетс1Г падением напряжения на диоде 4, запирающее напряженке с которого шуятирует через диод 8 nepexoxJ база-эми1 п ер транзистора динамической нагрузки 2. Диод 8 уменьшает зону нечувствительности усилителя мощности. Самовозбуждение усилителя мощности не возникает, благодаря наличию местной отрицательной обратной связи конденсатора 9, охватывающей транзистор 1,

Формула изобретения

Усилитель мощности, выполненный на транзисторах, включенных последовательно по nocTOHHHpjviy.TOKy, при этом между эмиттером транзистора динамической нагрузки и коллектором управляющего транзистора включен диод, а к сортветству1вщей шине источника питания подключен одним концом резистор смещения, отличающийс я тем, что, с целью уменьшения мощности рассеяния, другой койец упомянутого резистора соединен одновременно через дру-; гой резистор с базой транзистора динамической нагрузки и непосредственно с эмит, тером дополнительного транзистора, тип проводимости которого противоположен типу проводимости транзистора динамической нагрузки, при этом база транзистора динамической нагрузки соединена с коллектором дополниттельного транзистора, а коллектор jgffli3HcTopft динамической нагрузки соединен непосредственно с баёой дополнитель.яого транзистора и через цепь смещення-с Шиной источника питания.