Плазменный источник ионов Советский патент 1982 года по МПК H01J23/04 

дится под отрицательным потенциалом относительно электродов 1 и 3. Магнитные катушки 5 и 6 создают магнитное поле пробочной конфигурации. Электроны, эммитируемые термокатодом 1, ускоряются полем анода 2, пролетают его и, отражаясь от антикатода 3, осциллирзют около анода 2. Магнитные пробки ограничивают уход частнц иа торцовые стенки камеры и приводят к осцилляции электронов в продольном направлении, что способствует дополнительной ионизацип газа. Радиальный поток ионов вытягивается из плазмы под действием поля извлекающего электрода 4. Величину магнитного ноля подбирают так, чтобы Ларморовскне радиусы электронов были малы по сравнению с характерными цонеречными размерами камеры mcVt

В

еа

где 1/1 - компонента скорости

.магнитного поля.

При давлении порядка 10- мм рт. ст. выигрыш в токе по сравнению с источником без адиабатической логзушки составляет 2-3 раза. Ионный ток нри этом может сниматься со всей боковой поверхности источника.

Другое преимуш ество ионного источника с адиабатической магнитной ловушкой заключается в том, что осцилляции электронов между областями сильного магнитного поля увеличивают полный пробег электронов и, следовательно, число образуемых ими ионов.

Формула изобретения

Плазменный источник ионов, содержаший цилиндрическую камеру, помещенную внутри магнитной системы, термокатод, коаксиальный сеточный анод, отличающийсятем, что, с целью увеличения полного тока, между цилиндрической стенкой камеры и анодом коаксиально помещен сепоперекточный антикатод, а магнитная система образована двумя соленоидами, расположенны.ми на торцах камеры.

4г±г

X

I I I

L