Матричный коммутатор Советский патент 1976 года по МПК H03K17/74 

Описание патента на изобретение SU530459A1

(54) МАТРИЧНЫЙ KOA-IMYTATOP

Похожие патенты SU530459A1

название год авторы номер документа
Матричный коммутатор 1984
  • Алексанян Ашот Агванович
  • Оганесян Серго Сарибекович
SU1198541A1
П-канальный аналоговый коммутатор 1974
  • Сазонов Юрий Михайлович
  • Матреничев Александр Исакович
  • Солецкий Станислав Викторович
SU575775A1
Запоминающее устройство 1977
  • Агошков Валерий Иванович
  • Андреев Юрий Геннадиевич
  • Васин Альберт Иванович
  • Грабарев Виталий Семенович
SU684613A1
Аналоговый N-канальный коммутатор широкополосных видеосигналов 1988
  • Трухачев Валерий Владимирович
SU1598153A1
Способ искробезопасного дистанционного питания и устройство для его осуществления 1985
  • Добрунов Эдуард Константинович
  • Камынин Юлий Николаевич
SU1305398A1
Устройство для управления мощным высоковольтным транзисторным ключом 1991
  • Иванов Геннадий Юрьевич
SU1778886A1
Устройство для отображения графической информации на газоразрядном матричном индикаторе 1987
  • Свиязов Александр Алексеевич
SU1495846A1
Коммутатор импульсов синхронизации 1980
  • Летичевский Роман Давидович
  • Мусаелян Сергей Артаваздович
  • Павлов Виктор Григорьевич
  • Петров Вилорий Кузьмич
SU921088A1
КОММУТАТОР НАПРЯЖЕНИЯ С ЗАЩИТОЙ ОТ ПЕРЕГРУЗКИ ПО ТОКУ 2009
  • Бичуцкий Александр Яковлевич
RU2397612C1
Многоканальный коммутатор 1979
  • Ильянок Александр Михайлович
  • Ямный Виталий Евгеньевич
SU843236A1

Иллюстрации к изобретению SU 530 459 A1

Реферат патента 1976 года Матричный коммутатор

Формула изобретения SU 530 459 A1

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано в современных быстродействующих устройствах (ЗУ), в частности при построении оконечной ступени дешифрации этих ЗУ.

Известны матричные коммутаторы, содержащие диоды и схему управления ими.

Известен также коммутатор, содержащий шины питания и управления, вертикальные и горизонтальные координатные шины, соединенные в точках пересечения цепочкой диод-резистор, и транзисторы, подключенные к координатным шинам.

Однако такие коммутаторы имеют низкое быстродействие.

Для повышения быстродействия в предлагаемом матричном коммутаторе вертикальные шины через дополнительные диоды подключены к эмиттеру первого дополнительного транзистора, коллектор которого соединен с шиной питания, а база через резистор связана с коллектором первого дополнительного транзистора и с коллектором, второго дополнительного транзистора, который через

диод подключен к эмиттерам транзисторов вертикальных шин, а база второго дополнительного транзистора соединена с шиной управляющих сигналов.

На чертеже показана схема матричного коммутатора, где: 1 - горизонтальная координатная шина, 2 - вертикальная координатная шина, 3 - диоды матрицы, 4 - резисторы нагрузки, 5 - ишна питания транзисторов (ключей) коммутации горизонтальных координатных шин, 6 - транзисторы коммутации горизонтальных шин, 7 - входные шины (ключей) коммутации шин, 8 - резистор, 9 - дополнительный тразистор; 10 - входные шины транзисторов (ключей) коммутации шин, 11 - транзисторы (ключи) коммутации шин; 12 - развязывающие диоды; 13 - эмиттерные резисторы; 14 - общий диод; 15 - ключ или формирователь импульсов; 16 - входная шина общего ключа.

Диоды 3 и резисторы 4 объединены по строкам шинами 1 и по столбцам шинами 2. Координатные шины 1 связаны с эмиттерами транзисторов (ключей) 6 и резиса

торами 13. Коллекторы транзисторов (ключей) 6 подключены к шине 5 источника питания 17, а базы - к шинам 7, по которым подаются управляющие сигналы. Координатные шины 2, соединены с коллекторами транзисторов (ключей) 11, эмиттеры которых через диод 14 связаны с коллектором транзистора общего ключа 15. Базы транзисторов (ключей) 11 и 15 подключены соответственно к шинам 10 и 16, по которым поступают управляюшие сигналы.

Диод 14 выполняет роль зашитного элемента, если напряжение источника питания превышает величину обратного пробивного напряжения перехода база-эмиттер транзисторов (ключей) 11. Координатные шины 2 через диоды 12 соединены с эмиттером дополнительного транзистора 9, база которого через резистор 8, а коллектор непосредственно подключены к шине 5 источника питания 17. Одновременно база транзистора 9 соединена с коллектором транзистора ключа 15. Проводимость дополнительного транзистора 9 аналогична проводимости транзисторов (ключей) ll(n-p--n).

Работа диодно-матричного переключателя происходит следуюш.им образом.

При подаче на один из выбранных транзисторов 11 разрешающего потенциала и на дополнительный ключ 15 и один из выбранных транзисторов 6 импульсов происходит включение связанного с ними диода 3, и через соответствующий резистор 4 протекает импульс тока. Длительность управляющего импульса на шине 7 транзистора 6 определяет длительность протекаюш.его в резисторе 4 импульса тока, если она меньше чем длительность управляющего сигнала на шине 16 ключа 15. Если вместо ключа 15 исползуется формирователь импульсов, который задает длительность импульса тока резистора нагрузки, то транзисторы (ключи) 6 и 11 управляются потенциальными сигналами. При этом диоды 3 и резисторы 4 нагрузки целесообразно поменять местами.

Во время протекания тока через резистор 4 дополнительный транзистор 9 закрыт, так как его эмиттерный переход и диоды 12 смешены в обратном направлении потенциалом, равным падению напряжения на откры4

том транзисторе 11 и диоде 14. По окончании действия управляющего импульса на входной шине 16 ключ 15 запирается, в результате чего запирается и соответствующий

выбранный транзистор 11, и на его коллекторе и шине 2 быстро устанавливается первоначальный потенциал, определяемый напряжением на шине 5 источника питания 17. Это происходит потому, что дополнительно

транзистор 9 открывается и через него происходит быстрый заряд емкостей шины 2 и связанных с ней емкостей полувыбранных диодов 3 и нагрузок 4.

При работе транзисторов (ключей) 11 в режиме насыщения, в частности по окончании действия импульса на выбранной шине, открывание транзистора 9 также способствует быстрому выводу транзистора (ключа)

11 из насыщения после запирания ключа 15 Ток через транзистор 9 протекает только во время заряда емкостей, связанных с выбранной шиной и форсированного рассасывания избыточных носителей; накопленных в

открытом транзисторе 11, когда эмиттерный переход транзистора 9 оказывается смещенньхм в прямом направлении.

Формула изобретения

Матричный коммутатор, содержащий шины питания и управления, вертикальные и горизонтальные координатные шины, соединенные в точках пересечения цепочкой диод-резистор, и транзисторы, подключенные к координатным шинам, отличающийс я тем, что, с целью повышения быстродействия, вертикальные шины через дополнительные диоды подключены к эмиттеру первого дополнительного транзистора, коллектор которого подключен к шине питания, а база через резистор соединена с коллектором первого дополнительного транзистора и

с коллектором второго дополнительного транзистора, который через диод подключен к эмиттерам транзисторов вертикальных шин, а база второго дополнительного транзистора соединена с шиной управляющих сигналов.

SU 530 459 A1

Авторы

Сдатчиков Николай Владимирович

Даты

1976-09-30Публикация

1974-02-28Подача