Способ исследования электронной структуры поверхности вещества Советский патент 1977 года по МПК G01N23/00 

ности образования пара-позитрония. Цель достигается тем, что на иссле дуемое вещество, окруженное газообразной атмосферой (например, аргоном) при давлении 10-120 атм накладывается статическое магнитное поле напряжен1ностью не менее 2 кгс. Использование магнитного поля усиливает образование пара-позитрония jB 2 раза и расширяет возможности спос ба.так как позволяет исследовать элек ронную структуру поверхности жидких и твердых веществ. Использованием газообразного аргон под давлением не менее 10 атм превьшае ся эффективность способа,так как при этом плотность атомов позитрония, обра зующихся у поверхности исследуемого в щества, увеличивается более чем в 10 р по сравнению с давлением в известном способе (1 атм) . (Повысить давление а гона при реализации известного способ нельзя, так как при этом уменьшается вероятность образования позитрония в электрическом поле). Предложенный способ осуществляют так. Между полюсными наконечниками магнита, которые заключены в металлическую немагнитную герметическую камеру, помацают источник позитронов (например, радиоизотоп Na - у одного полюса магнита) и исследуемое вещество(у противоположного полюса). Предваритель но поверхность исследуемого образца тщательно очищают, например, нагреванием в вакууме. Расстояние между радиоизотопным источником и образцом выбирают из условия образования максимального числа позитрония у поверхности образца. Затем в камере создают вакуум 10 торр и напускают до давления не менее 10 атм. аргон, очищенный до 99,9%. Между полюсными наконеч«иками прикладывается статическое магнитное поле напряженностью не менее 2 кгс, которое позволяет увеличить вероятность образования пара-позитрония до 50%. Информацию об электронной структуре поверхности исследуемых веществ получают, измеряя угловое распределение аннигиляционных гамма-квантов, образующихся при взаимодействии пара-позитрония с электронами изучаемой поверхности . Формула .изобретения Способ исследования электронной структуры поверхности вещества, заключающийся в том, что атмосферу, окружаиощую исследуемый образец, облучают позитронами, в результате чего образуются позитроний и пара-позитроний, и измеряют угловое распределение аннигиляционных гамма-квантов, образующихся при взаимодействии пара-позитрония с электронами изучаемой поверхности, о тличающийсятем, что, с целью повышения плотности позитрония,и увеличения вероятности образования парапозитрония, на исследуемое вещество и окружающую его атмосферу накладывают Ьтатическое магнитное поле напряженностью не менее 2 кгс при давлении от 10 до 120 атм. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе.-, 1.Дэвисон С. и др. Поверхностные (таммовские) состояния , 1973, с. 162. 2.Патент Великобритании 1.150.577, кл. G 1 А, 1966. 3.Дехтяр И.Я. и др, Новый метод исследования электронной структуры металлических поверхностей с помощью анPhys stat нигиляции позитрония. 50 1972, 10, с. 657.