Устройство для коммутации высокочастотного вращающегося магнитного поля Советский патент 1976 года по МПК G01R33/02 

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОММУТАЦИИ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ВРАЩАЮЩЕГОСЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ На чертеже представлена схема устройства для коммутации высокочастотного маг нитного поля. Устройство, состоит из высокочастотного генератора 1, задающего устройства 2, колебательного контура 3, содержащего последовательно включенных конденсатора 4 и 5 и катушку 6. К точке соедине- тш конденсаторов подключен высокочастотный генератор 1. Параллельно катушке 6 включен коммутирующий элемент 7, обведенный на чертеже штрих-дунктирной линией. В состав коммутирующего элемента вхо дят элемент задержки 8 и регулируемый Источник напряжения 9, который подключен через элемент задержки к зажиму параллельного колебательного контура 3. К другому зажиму колебательного контура 3 под ключен транзистор 10, во входной цепи ко торого подключен трансформатор 11. Элемент задержки 8- состоит из резистора 12 и параллельно включенного конденсатора 1 К генератору 1 подключено задающее устройство 2, определяющее программу комму тации, срабатывающее при помощи коммута Тора 14. Задающее устройство соединено Шиной 15 с входом трансформатора 11, Работает устройство следующим образом При включение высокочастотного магнит ного поля коммутатор 14 подает на базу фанзистора Ю короткий импульс от зада- клдего устройства 2. Длительность стартового импульса должна быть равна четверти яориода колебаний генератора 1. В этот промежуток времени результирующая емкость колебательного контура заряжается через элемент задержки 8 до полного напряж ния источника 9. Затем эта емкость разряжа ется через катушку 6 параллельного колеательного контура 3, что приводит к наальному демпфированию его колебаний, днако при одновременной подаче энергии г генератора 1 амплитуда колебаний увенчивается. Таким образом, в процессе включения и ыключения складываются два колебания, зно из которых экспоненциально спадает жле разряда конденсатора, а другое экс шенциально возрастает до полной амплиту I колебаний. При этом обеспечивается пол е возрастание амплитуды тока в колебальном контуре З в течение четверти пеода. Сопротивление резистора 12 элемензадержки 8 выбирают так, чтобы при тючении и выключении коммутатора 14 вдающееся магнитное поле было достогым. При выключении вращающегося магнитО поля с помощью коммутатора 14 импульс от задающего устройства 2 подается на базу транзистора 1О, Транзистор включается на несколько периодов, и параллельный контур 3 щунтируется через транзистор 10, элемент задержки 8 и сопротивление источника 9. Энергия контура 3 выделяется практически в рабочем цикле, поэтому емкость конденсатора 13 должна быть по меньидей мере в десять раз больше результирующей емкости контура 3, Формула изобретения 1, Устройство для коммутации высокочастотного вращающегося магнитного поля, содержащее две ортогонально расположенные катущки, соединенные по крайней мере с одним высокочастотным генератором. рцтающим катушки синусоидальным током. сдвинутым по фазе на 90 , отличающееся тем, что, с целью повьппе- ния быстродействия, оно снабжено коммутирующим элементом в виде регулируемого источника напряжения, подключенного через элемент задержки к одному из вхоцов параллельного колебательного контура, образованного одной из катушек и дополнительно включенным конденсатором, и выключателя, соединенного между вторым входом параллельного колебательного контура и опорным потенциалом. 2.Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве выключателя использован транзистор, управляемый трансформатором, одна обмотка которого включена в цепь база - эмиттер транзистора, другая подключена к высокочастотному генератору. 3.Устройство по п. 1, отличающееся тем, что емкость параллельного колебательного контура вьшолнена в виде дзух последовательно включенных конденсаторов, к точке соединения которых подключен генератор высокой частоты. 4.Устройство по п, 1, отличающееся тем, что элемент задержки выполнен в виде резистора с параллельно включенным конденсатором. 5.Устройство по пл. 1и4, отлиающ.ееся тем, что емкость элемена задержки по меньшей мере в десять раз ревьплает емкость параллельного колебаельного контура. Источники И)а)ормации, принятые во вниание при экспертизе: 1. Степаненко И„ П. Основы теории транисторов и транзисторных схем, ГЭИ, 1963, тр. 217«-221 (прототип).