Электрофотографический способ формирования изображения Советский патент 1976 года по МПК G03G15/00 

1

Изобретение относится к области электрофотографии, а именно к способу формирования изображения па диэлектрике, и молсет быть использовано в электрофотографических устройствах илоскостпого или ротационного типа.

Известны различные электрофотографпческие способы формирования изображения на диэлектрике, осповаиные па использовании явления фотоироводимости высокоомных полупроводников.

Наиболее близким к описываемому изобретепию но технической сущности является способ формпроваиия изображения, заключающийся в том, что па фотополупроводииковый слой, обладающий свойством световой памяти, проецируют оптическое изображение, приводят этот слой в контакт с диэлектрическим слоем, прикладывают иостоянное напряжение к проводящим основам фотополуироводпика и диэлектрика, отделяют диэлектрик от фотополуироводника и визуализируют екрытое изображение, сформироваиное на диэлектрике.

При осуществлеиии данного способа используются высокоомные фотополупроводниковые материалы, такие как селен, окись циика, селенид мышьяка, сульфид и селенид кадмия и другие. Недостатком способа является иевозможность регистрации излучения с длиной волны, превышающей 0,6-0,9 мкм.

Для расщиреппя области спектрального дпапазона светочувствительпости в сторону длинных волн (блпжнюю ппфракрасную область спектра) по предлол енному способу формирование скрытого изображеппя на фотопо 1упроводииковом слое осуществляют в два этапа: первоначально производят равномерную засветку фотополупроводника для возникновения эффекта световой , а затем проецпроваиие оптического изображепия излучением, вызывающим гащение световой памяти.

Предлагаемый способ осуществляют пос.тедовательиым выиолнеиием следующих операПИЙ:

Фотополупроводииковый слой равномерно облучают светом из области собствеииой иолосы иоглощения.

На фотовозбужденный полупроводниковый слой проецируют оптическое изображение. Проецирование оеуществляют излучением, вызывающим гащения состояния фотовозбуждения (л - 0,7-2 мкм). При этом в фотополупроводппке происходит умеиьшение электропроводимости в соответствии с количеством освещепия, падающего па слой: в более освещенных участках электропроводимость умепьшается спльнее, в менее освещенных-слабее.

В результате в слое возникает скрытое пзоб3

ражение в виде рельефа 11ровод; мостп, сохраняющееся л после прекращения экспопировапия.

Фотополупроводнпковый сло лр.1вод;:т в контакт с диэлектрическим слоем и проводящие основы слоев соединяют с источником постоянного напряжения. Величину наиряження устанавливают в пределах 500-2000 В. Прн достиженнн нробнвной манряженности электрического ноля на границе (воздушном зазоре) между фотонолунроводником н диэлектриком скрытое нзображенне на фотополуироводнике нреобразуется в электростатическое изображение па днэлектрнке. Далее диэлектрический носитель отделяют от фотонолуироводиика и электростатическое изображение визуализируют.

Данный снособ нозволяет получать несколько коннй при однократном эксиоиированнн фотонолупроводннка. Кроме того, он дает возможность расиАнрпть область снектрального

распределения светочувствительности в стороиу длинных волн.

Ф о р м у .1 а изобретен н я

Электрофотографнческпй способ формирования изображения, заключающийся в стадиях нроецировання онтичеекого изображения на фотополуироводниковый слой, приведения фотонолунроводникового елоя в контакт с диэлектриком, создания электрического поля на граннце фотонолунроводника с днэлектриком, отделения диэлектрнчеекого носителя и визуализании изображення, о т л н ч а ю HI, и и е я тем, что, с нелью расп1нрения спектрального

дианазона светочувствительиоети в сторону длинных волн, фотонолуироводниковый слой иодвергают предварительной засветке нзлученнем, вызывающим эффект световой памяти, а ироепированне оитнческого изобтажеиия

осун ествляют излучение.м, ызываюаиш rasneине еветовой намят :.