Способ записи оптической информации на электрофотографическом носителе Советский патент 1983 года по МПК G03G13/34 

о ел

f. СПОСОБ ЗАПИСИ ОПТИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ НА ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКШ НОСИТЕЛЕ, содержащем два фотопроводHHKO ix слоя с несовпадакяхими спекrpajtbwiom характеристиками, включающий электрическую сенсибилизацию носителя и проецирование на него изображений объекта и оптического растра, отличающийся тем, что, с целью повьппения разрешающей способности записи, проецирование изображений объекта и оптического растра осуществляют в различных спектральных областях излучений активных для фотопроводниковых слоев. 2. Способ по п. I, о т л и ч а ющ и и с я тем, что при проецировании изображений объекта и оптического растра используют спектральные области излучения с длиной волны соответственно 550-700 и 440-450 им.

Изобретение относится к способам записи оптической информации на элек трографические носители. Известен способ записи оптической информации на электрофотографическом носителе, содержащим два фотопроводниковых слоя с несовпадающими cnekтральными хар.актеристйками, включающий электрическую .сенсибилизацию носителя и проецирование на него изображений объекта и оптического раст.Ра.1.3. , . . Недостатком известного способа записи оптической, информации на элек трофотографическом носителе является низкая разрешаклцая способность записи. . Целью изобретения является повыше ние разрешагацей способности записи оптцческой информации на электрофотографическом носителе. Поставленная цель.достигается тем что согласно способу записи оптической информации на электрофотографическом носителе, содержащем два фото проводниковых слоя с несовпадающими спектральными характеристиками, вклю чающий э/гектрическую сенсибилизацию носителя и проецирование на него изо ражений объекта и оптического р:астрй проецирование изображений объекта и оптического растра осуществляют в ра личныхспектральных областях излучет НИИ, актиничных для фотопроводни.ковых споев. . . . При этом при проецировании изрбрат жений объекта и оптического растра используют спектральные области .излучения с длиной волны соответственг но 550-700 и 440-450 нм. . Способ осуществляют следущйм об |разом. . . . , Проводят электрическую зарядку электрофотографичейкого носителя, со держащего два фотопроводниковых слоя с несовпадаклцими спектральными харак теристиками, а именно с максимумом фоточувствительности в спектральном диапазоне излучения объекта и с макси|у|умом фоточувствительности к модулируемому излучению и поглощающего это излучение, термопластического слоя.. . После интервала времени &t относительно начала зарядки поверхнос.ти, за которьй устанавливается распределение потенциалов между носителя в соответствии с ведичинами. сопротивлений слоев, проецируется моду.г1ируемоЕ излучение на фотопроводниковый слой-носителя-с максимумом фоточувствительности к длине волны этого излучения и полностью его поглощающему. В результате продолжающегося процесса .зарядки и фотопроводимости этого фотопроводникового слоя на поверхности термопластического слоя образуется электростатический контраст, соответствующий картине модулируемого излучения. При достижении на освещенных модулируемым .излучениемучастках носителя критического потенциала образования регулярной деформации через интервал времени Аt2 отиссительно начала зарядки ( -At) на фотопроводниковый слой находящийся в контакте спроводящим электродом проецируется изображение объекта. В освещенных участках изображения происходит снижение электрического сопротивления фотопроврдника, фоточувствительного к иэлученчю.объекта. В связи с тем, что скорость формирования деформации термопластического сдоя увеличивается .- с уменьшением сопротивления фотопро- . ,- на участках термопластика, , соответствующих освещрнньм участкам изображения, происходит более быстрое образование рельефа, соответствую- : щего .электростатическому контрасту вызванному модулируемым излуч.ением. Чем вьплё .освещенность изображения , тем больще глубина промодулирован- ного рельефа термопластического олоя, что соответствует no3HTjHBHaMy процессу записи. В процессе регистраг ции наряду с зарядкой поверхности носителя осуществляется тепловое проявление. . ,. Увеличение светочувствительности достигается за счет резонансно- го растрирования термопластического Слоя при проеци ровании модулируемого излучения и позитивностью процес- са записи. Увеличение разрешающей способности достигается за счёт сужения области спектрального излучет ния объекта, необходимого для искгаочения влияния этого излучения на фотопроводниковый слой, чувствительный К модулируемому излучению. В результате сужения интервала длин волн регистрируемого излучения объекта воз растает разрешанлцая способность объектива за счет уменьшения .хроматических аберраций, и как следствие, увеличивается разрешакщая способность системы объектив - носитель одновременно с увеличением чувствительности носителя. . На фиг. 1 приведен носитель информации, предназначен п.1й д.пя осуществления способа; на фиг, 2 и 3 то же, варианты носителя. Носитель.информации включает лавсановую прозрачную основу 1, на которую, .наносят . прозрачный проводяпщй электрод 2, На проэрачньп электрод наносят фотопроводниковый слой 3, фоточувствительный -в спектргшьной области излучения объекта. На него наносят фотопроводниковый слой 4 нечувствительный к .излучению объекта, имекяций максимум фоточувствительности .к модулируемйму, излучению. Этот слой имеет толщину при которой модулируёмоге излучение поностью погло- щается и не воздействует на фотопрр- .водниковый слой 3. Верхний слой 5 но сителя выполняют из термопластическо го материала с толщиной, обратно про порциональной частоте модулируемого излучения. , На фиг. 2 представлен другой вариант расположения слоев носителя В этом случае на фотопроводниковый слой.З нанесен термопластический сло 5t, а внешним является фотопроводнико вый слой 4, На фиг, 3 представлен вариант вы,полнения носителя информации, когда .слой 4 выполнен в виде двух подслоев 6 и 7. Толщины фотопроводниковых ело ев порядка 2 мкм, те;рмопластического слоя порядка 1 мкм. П р-и м е р 1, Используют носиг тель информации, состоящий из прозрачной лавсановой основы, прозрачного электрода , фотопроводникового, слоя селешеда мышьяка, леги рованного галлием толщиной 2 мкм фотопроводникового слоя сульфида М|1т1ьяка толщиной 1 ,8 мкм и термоплас тического слоя бутилметакр ата со стиролом толщиной 0,9 мкм. Перед записью осуществляют нагрев носителя до . Затем проводят зарядку свободной поверхности носите ля в поле коронного разряда, подавая на корронирукиций электрод отнр,ситеЛьно проводящего электрода носи теля потенциал 4,5 кВ. Через At 0,2 с после подачи высокого напряжения на носитель со стороны термолластйческого слоя на фото про водни-. новый С.ПОЙ проецируют модулируемое излучение, в данном случае интерференционную решетку с пространственной частотой 800 л/мм, образованную двумя сходящимися под углом пучкам когере.нтного излучения от лазера типа ЛГ-63 с длиной волны излучения 441 нм. Сульфид мышьяка имеет максимум фоточувствительности в области этой длины волны. За счет фотопроводимости, сульфида мьш1ьяка на термопластическом слое в процессе зарядки когсителя происходит формирование электростатического контранста линий интерференционной решетки и через 1,5 с после момента включения потенциала на термопластическом слое образуется пороговый потенциал об- разования регулярной деформации. Когерентное излучения 441 нм, образующее интерференционную решетку, полностью поглощается в слое сульфида мышьяка толщиной 1,8 мкм и не воздействует иа второй фотопроводниковый слой селенида мьшьяка, легированного таллием, ртот слой играет роль активного сопротивления (фотозатвоца I. Имея довольно высокое темновое сопротивление (р 10 Ом-См) он ограничивает скорость формирования дифракционной решетки на термопластическом слое. В момент достижения Hsf поверхности термопластического слоя критического потенциала образования регулярной деформации на фотопроводниковый СЛОЙ .селенида мьш1ьяка, легированного т.аллием, через время At2 ,5 с относительно начала зарядки проецируется. объективом изображение объекта. Причем проецирование осуществляют через светофильтр, отрезающий коротковолновую часть излучешш. Спектральный диапазон про1ецируемаго излучения находится в диапазоне : длин, волн 550: -800 нм. В этом спектральном диапазоне сульфид мышьяка имеет очень малую фоточувствительность, и излучение от объекта на него практически не воздействует. Однако слой селенида мышьяка, легированного таллием, в диапазоне длинн волн 550:-800 нм имеет максимум спектральной чувствительности. . . При проецировании изображения со средним уровнем энергии Дж/см его сопротивление резко снижается и освещенных участках, что ускоряет

ормирование рельефа дифракционной ешетки на термопластическом слое. Чем больше, освещенность элемента . изображения, тем быстрее происхо-; дит образование рельефа и тем боль- 5 тая глубина его достигается за время зарядки носителя. Потенциал на коронирукяцем электрод и выключается через 0,5 с после включения излучения от объекта. Общее время заряд- 10 ки носителя составляет 2 с. При отключении высокого напряжения носитель охлаждается до комнатной температуры, в результате .чего фиксируется рельефно-фазовое растрирован- fs кое позитивное изображение на термопластическом слое.

И р -и м ер 2. Носитель информа ции выполняют из прозрачной лавса|новой основы, на которую наносят про-20 зрачньй электрод На прозрачный электрод наносят фотопроводниковый слой As2S, на него наносится фотопроводниковый слой 4. Верхним слоем носителя является слой тер-25 мопластическогх материала, например бутилметакрилата со стиролом. Толщина слоев: фотопроводниковый слой 2-2,5 мкм, фотопровод шковый слой 0,8-1 ,5 мкм, термопластический слой Q 0,9 мкм.

П р и м е р 3. Носитель информации содержит те же слои, что и в примере 2. Фотопроводниковый слой выполняют из 5% Те толщиной 2,5-3 мкм. Фотопроводниковый слой выполняют из ЭпЗ толшриной 1-1,2 мкм.

26,6

П р и м е р 4. Носитель информации содержит те же слои, что и в примере 2. Фотопроводниковый слой выполняют из Se +5% SbTe толщиной 3 мкм. Фотопроводниковый слой выполняют из PSe 1 ,5 мкм.

Пример 5, Носитель информации содердат те же слои, что и в примере 2. Фотопроводниковый слой выполняют из CdTe толщиной 3 мкм. Фотополупроводниковый слой выполняют из ZnSe толщиной ,3 мкм.

П р и м е р 6. Носитель ийформации содержит те же слои, что и в примере 2, Фотопроводниковый слой выполняют из CdTe толщиной 3 мкм, Фотопроводниковый слой выполняют из PSe толщиной i,5 мкм.

Пример, Носитель информации вьтолняют из прозрачной лавсановой основы, на которую наносят прозрачный электрод . На прозрачный электрод наносят Фотопроводниковый слой сульфцда мьшьяка, легированного таллием, толщиной 2 мкм, на него наносят термопластический слой бутшжетакрилата со стиролем толщиной 0,9 мкм. Верхним слоем носителя является фотопроводниковый слой сульфеда мьшьяка толщиной 2 мкм.

Использование предлагаемого способа регистрации изображений и носителя для его осуществления позволяет получить позитивный процесс записи, высокую величину светочувствительности 10®Дж/см, , высокую разрешающую способность системы объектив-носитель. (500 л/мм К