Таким образом, в отличие от прототипа, где .токовая .разводка и элементы накаливания разнесены ,в различные плоскости и не могут быть сформированы одновременно, применение сапфировой подложки позволяет получить на ней монокристаллическую нленку вольфрама и в едином процессе фотогравировки одновременно получить в этой пленке и схему токовой разводки и элементы накаливания. Три операции на«есения металла-для токовой разводки, праверз и элементов накаливания- заменяются одной операцией занесения пленки вольфрама. Отпадает необходимость в нанесении и последующем стравливании слоя стекла. Три операции фотогравировки - для формирования схемы токовой разводки, схемы отверстий в 1слое стекла под траверзы и системы элементов накаливания - заменяются одной операцией фотогравировки, в которой одновременно формируются все элементы индикатора.
Формула изобретения
Способ изготовления индикаторов с тугоплавкими элементами накаливания, включаюш,ий формирование на изолирующей подложке схемы токовой разводки, элементов накаливания из тугоплавкого металла и создание
изолирующего зазора между подложкой и элементами накаливания, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и увеличения КПД индикаторов, на подложку из монокристаллического высокотемпературного окисла, например сапфира, наносят лленку тугоплавкого металла, например вольфрама, в которой одновременно и в одной плоскости формируют схему токовой разводки и систему элементов накаливания.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Накальный вакуумный экран | 1991 |
|
SU1791872A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КМОП ИС БАЗОВЫХ МАТРИЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ (БМК) | 1996 |
|
RU2124252C1 |
Способ изготовления полупроводниковых кремниевых структур | 1982 |
|
SU1160895A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ НА ДИЭЛЕКТРИКЕ | 1991 |
|
RU2009576C1 |
Способ получения кристаллов полупроводниковых структур | 1981 |
|
SU980568A1 |
Способ изготовления кристаллов полупроводниковых приборов | 1983 |
|
SU1102433A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ | 1994 |
|
RU2109371C1 |
Способ изготовления МОП-интегральных схем с поликремниевыми резисторами | 1989 |
|
SU1609399A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КМОП ТРАНЗИСТОРОВ С ПРИПОДНЯТЫМИ ЭЛЕКТРОДАМИ | 2006 |
|
RU2329566C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | 1989 |
|
SU1702825A1 |
Авторы
Даты
1976-12-15—Публикация
1973-10-29—Подача