Жидкокристаллическая мишень для электронно-лучевой трубки Советский патент 1977 года по МПК G02F1/13 H01J29/10 

Описание патента на изобретение SU543911A1

ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ МИШЕНЬ ДЛЯ

(54) ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЙ ТРУБКИ

Похожие патенты SU543911A1

название год авторы номер документа
Устройство для записи информации на термопластический носитель 1971
  • Глухой Юрий Ойзерович
  • Герасимук Леонид Николаевич
  • Лесниченко Анатолий Яковлевич
  • Пасечник Анатолий Алексеевич
  • Почерняев Игорь Михайлович
  • Тарасов Виктор Алексеевич
  • Козырев Владимир Алексеевич
  • Осауленко Николай Федорович
SU447857A1
Способ стирания потенциального рельефа 1983
  • Ваксман Владимир Михайлович
SU1109826A1
Узел мишени электронно-лучевого модулятора света 1980
  • Акимов Юрия Александрович
  • Бобрович Герман Джапарович
  • Крутяков Ювеналий Александрович
  • Морковин Вадим Георгиевич
  • Степанов Борис Михайлович
SU928464A1
МОДУЛЯТОР СВЕТОКЛАПАННОЙ СИСТЕМЫ ОТРАЖАТЕЛЬНОГО ТИПА 1995
  • Дэббедж Рэд Хассан
RU2143127C1
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ЭКРАН И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 1991
  • Высоцкий В.А.
  • Коновалов В.А.
  • Моисеева О.Г.
  • Муравский А.А.
  • Ржеусский В.В.
  • Смирнов А.Г.
  • Усенок А.Б.
  • Яковенко С.Е.
RU2017186C1
Способ выборочного стирания сигнала в бистабильной запоминающей электнонно-лучевой трубке 1977
  • Богаченко Владимир Алексеевич
  • Личманов Александр Анатольевич
SU658775A1
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ЭКРАН 1990
  • Бобров Юрий Александрович[Ru]
  • Быков Виктор Алексеевич[Ru]
  • Василевич Анатолий Михайлович[By]
  • Высоцкий Владимир Александрович[By]
  • Иванова Татьяна Дмитриевна[Ru]
  • Моисеева Ольга Георгиевна[By]
  • Паничев Михаил Иванович[By]
  • Смирнов Александр Георгиевич[By]
  • Сокол Виталий Александрович[By]
  • Усенок Андрей Брониславович[By]
  • Царев Валерий Павлович[By]
RU2031424C1
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ЭКРАН 1991
  • Высоцкий Владимир Александрович[By]
  • Жуйков Владимир Александрович[Ru]
  • Зырянов Виктор Яковлевич[Ru]
  • Сморгон Сергей Леонидович[Ru]
  • Смирнов Александр Георгиевич[By]
  • Усенок Андрей Брониславович[By]
RU2027204C1
СИСТЕМА УПРАВЛЯЮЩИХ И ОТОБРАЖАЮЩИХ ЭЛЕКТРОДОВ ДЛЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ЭКРАНА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ 1991
  • Высоцкий В.А.
  • Моисеева О.Г.
  • Смирнов А.Г.
  • Усенок А.Б.
RU2019863C1
Экранный узел запоминающей электронно-лучевой трубки 1978
  • Песковский Вениамин Иванович
SU748574A1

Иллюстрации к изобретению SU 543 911 A1

Реферат патента 1977 года Жидкокристаллическая мишень для электронно-лучевой трубки

Формула изобретения SU 543 911 A1

Изобретение относится к устройствам отображения информации, в частности к устройствам с жидкокристаллическими веществами, может быть использовано для преобразования электрических сигналов в двумерные опти эские изобретения, формируемые в когерентном и некогерентном свете, например в устройствах отображения информации на большой экран; для непосредственного наблюдения изображения на экране прибора в условияк сильной вненей засветки.

Известны жидкокристаллические мишени для ЭЛП, содержащие жидкий кристалл (ЖК), помещенный между двумя диэлектри ческими пленками, причем внешняя поверхность нижней пленки покрыта черным проводящим слоем ij .

Сканирующим электронным лучом на поверхность верхней пленки наносится потенциальный рельеф, который модулирует цветовую картину, создаваемую жидким кристаллом.

Недостатками такой конструкции являются, во-первых, сложность записи и считывания, так как для смены ка.цра изображения требуется двукратное сканирование всего растра, а во-вторых, то, что запись и считывание производятся с од ной и той же стороны мишени.

Наиболее близким по техническому решению к предлагаемому является ЖК мишень для ЭЛТ, содержащая прозрачный проводящий слой, нанесенный с внутренней стороны на прозрачную изолирующую подложку, слой жидкокристаллического вещества и перегородку, отделяющую ЖК вещества от остальной части ЭЛТ, причем перегородка представляет собой пластину, состоящую из дискретных, изолированньЕС друг от друга проводников 2j. Управление ведется с помощью тока электронного луча. Недостатками такого устройства являются низкая разрешающая способность прибора и сложность изготовления пластины с большой плотностью элементов.

Цель изобретения - повышение разрешающей способности и утгрощение технологии изготовления мищени.

Для достижения этой цели перегородка выполнена из диэлектрической пленки, которая с внешней стороны покрыта проводящим слоем, причем для повышения контрастности изображения и использования прибора как зеркала с модулируемым отражением проводящее покрытие на пленке может быть выполнено зеркальным. В качестве диэлектрической пленки может быть использован полиэтилентерефталат.

Толщину пленки выбирают в зависимост- ти от величины ускоряющего напряжения в ЭЛТ так, чтобы в ней электронным пучком возбуж,аалась объемная проводимость.

На чертеже изображена конструкция ЖК мишени.

Мишень состоит из прозрачной изолирующей подложки 1, покрытой прозрачным проводящим слоем 2, ЖК слоя 3, например не гатнка, и диэлектрической пленки 4, п.жрытой провод5т1им слоем 5, который хгожот быть выполнен зеркальным.

Э.Юктрончый пучок 6 проникает сквозь проводящей слой 5 и возбуждает объемную проводимость в диэлектрической пленке. Образующийся проводящий канал служит для прохождения тока через ЖК и возбуждения динамического рассеяния. Считывающий световой пучок 7, отражаясь от проводящего слоя 5, дважды проходит через моОлирующий слой ЖК. Остаточные заря ;ui стекают по проводящему слою 5.

Замена пластины с дискретными изоли;|ованными проводниками диэлектрической

5

пленкой позволяет повысить разрешающую способность прибора и тем самым расщи- рить область его использования.

Формула изобретения

1.Жидкокристаллическая мишень для электроннолучевой трубки, содержащая прозрачный проводящий слой, нанесенный с внут ренней стороны на прозрачную изолирующую подложку, слой жидкокристаллического вещества и перегородку, отделяющую жидкокристаллическое вещество от остальной части электроннолучевой трубки, отличающаяся тем, что, с целью повышения разрешающей способности и упрощения технологии изготовления мищени, перегородка вьшолнена из диэлектрической пленки, которая с внешней стороны покрыта проводящим слоем.

2, Мищень по п. 1, отлича ю- щ а я с я тем, что проводящий слой на пленке выполнен зеркальным.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: 1. Наизеи, SHesbei geh ci iStaB media

for eBectt OM recohdiHg, ICEE . EBect. Dev.,i968,i5,.896

2. C.H.Goodv otnd othei s: Astorage cathode ray tabe,J. Pbys, D.: Appe. hvs., 1973, 6, p. 1664 (прототип).

SU 543 911 A1

Авторы

Ваксман Владимир Михайлович

Михайлик Василий Григорьевич

Шошин Вадим Михайлович

Даты

1977-01-25Публикация

1975-12-24Подача