Устройство для записи оптических изображений Советский патент 1978 года по МПК G03C5/00 H01L31/04 

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАПИСИ ОПТИЧЕСКИХ ИЗОБРАЖЕНИЙ

Зто достигается тем, что метолпический лой выполнен из материала, обеспечиваюего электрофотолегирование контактируюей с ним пленки, металлический слой быть вьтолнен из алюминия толшиной 10-50 раз меньше, чем толщина пленки

сп.

На фиг. 1 показано предлагаемое уст™ ройство; на фиг. 2 -характеристики изме- нения пропускания света образцом во вреени при различных интенсивносп-ях засвет и о макс

Устройство состоит из диэлектрической, например:стеклянной подложки 1, проводящего слоя 2, выполненного из метариала, не диффундирующего в ХСП в обычных условиях, например алюминия, двуокиси олова, слоя ХСП 3; верхнего слоя 4 из алюминия,

Устройство имеет подводяшие провода 5, источник П ггания 6 и вьпшючатель 7.

Характеристики изменения пропускания света образцом {см, фиг, 2, a.;),Jl), и), 2i) получены при следующих значениях интенснвности засветки: ,0 ,;,; сГ О маис - С, 3.8;J,,g, 2,

Работа устройства заключается в еле- . дующем.

Изображение проецируется на поверхность слоя ХСП через спой 4 или 2, который в этом случае делается полупрозрачным. Для того, чтобы записать изо- бражение,на время экспозиции .между слоя-ми 2 и 4 прикладываекзя постоянное напряжение такой, полярности, чтобы алюминиевый электрод имел положительный потенциал. При Этом происходит цкффузня алюминия в ХСП со скоростью, пропорциональной как интенсивцости , так и величине приложенного на1тряжения. Оптические свойства среды ()Ш,1иенты поглощения и проп т капия света) имзменяются, и спроецированное оптическое изображение оказывается зарегистрированным.

Принцип работы устройства основывается на э4к|)екте электрофотолегирования ХСП. некоторыми металлами, в частности алюMHHVieM. Механизм ©того эффекта сводится к тому, что электрическое поле понижает потегашальный барьер на граншш штюминий « ХСП, препятствующий ди4)ф5зии алю МИНИН. Диффузия облегчается также действием света, который создает в ХСП электронног-цырочные пары, спосо&зтву1ош,ие об разованию положительных ионов алюминия, Элект}эическое поле обеспечивает также появление не толысо Ш1ф4зузии, но и конов алюминия в плёнку ХСП, .которые в дальней.щем образуют с компонентами ХСП соединения типа KVf ; .®э Уход металлического алюмщ1Ия с поверх

ности ХСП, образование новых соединенний обладающих болыией щириной запрещенной зоны, и обеспечивают изменения в оптических характеристиках структуры. Устройство может быть изготовлено

методами вакуумного испарения с использованием самых различных ХСП, например ХСП систем:IAs-бе J As-S-Se А& -бе-ЛГй A.b-S-qe, A&-foe-Qer

Исключительно важным для обеспечения

работы устройства является правильный вы-бор толщины пленки алюминия. Если пленка слишком тонка, то оказывается малой глубина модуляции оптических свойств, т.е.

эффективность пресшоженного устройства оказывается низкой. При толщине алюминия больше некоторой oптvIмaльнQй величины (зависящей от толщины пленки ХСП) весь алюшгаий не может про диффундировать а

гшенку полупроводника из-за того,что количество алюминия, вступающего в химичес кое взаимодействие с ХСП, ограничено. Это явление также снижает глубину модуляции оптических свойств и эффективность устрой-

ства.

Для реально используемых пленок полу- проводника (использование слишком толстых пленок ХСП требует приложения больших напряжений) оптимальная толщина ал1оминия обычно должна быть в 1О-5О раз меньше, чем толщина пленки ХСП. Так, для э4)фективных пленок ХСП системы оптимальная толщина слоя алюминия А.

Достоинства iipewiaraeMoro устройства

связаны с тем фактом, что его чувствител1у кость-управляется приложенным электрическим напряжением. При отсутствии напряжения устройство нечувствительно к свету.

Эта способность приводит, к существенному увеличению срока и облегчению условий хранения образцов, которые, в частности, могут храниться на свету как до, так и после экспонирования, а так .ле не требуют какойлибо химической обработки. Важной является также замена дорогого и дефицитного серебра на дешевый и доступный алюминий.

Формула изобретения

1. Устройство для записи оптических изобра7кений на основе пленки халькогенид-: кого стеклообразного полупров дника, нах од5Щ1егося в контакте с металлическим слоем, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока службы при одновременном гпрощении записи и условий хранения, металлический слой выполнен из материала, обеспечивающего электрофотолегирование контактирующей с ним пленки.

2. Устройство по п. 1, о т л и ч а ющ е е с я тем, что металлический слой вьтолнен из алюминия толщиной в раз ыеныце толщины пленки халькогенидного полупроводаика.

Источники информации, во вни-мание при экспертизе:

5 2

Фиг1

, 1. ПатентСША № 3834903, кл. 06-27, 1974.

2. Авторское свидетельство СССР № 449652, М. Кл. q 03 С 9/07, 1972.

3. Патент Франции № 2135736 (В), М. Кл.Ц 03 С 5/00, 1971.

, Г, omn.eS

i.,MUM