Способ изготовления полупроводниковых пленок на основе а @ =S @ - @ Советский патент 1982 года по МПК H01L31/18 

точ факт, что слон нолуча отся оГюгащспныс мышЕэЯко г. Подобное содср}кание мышьяка (повышенное) чрезвычайно резко сказывается на свойствах слоев.

Исследования показали, что многие электро4)нзические и оптические CISOHCTTUI определяются не тол1)Ко cocTaiiOM по.лучаемого ХСП, но и соетар,ом структурой плепкн, так степень унязкн иолнмерпого каркаса слоев суп1;естпеиио выше но сравиению со слоями, приг()тоБлспп1;1ми обычными методами. Подобное обстояте.тьство также определяет ряд э.тектрофпзическнх и онтичееких свойств.

Предложенный способ экспернментально проверен. В качестве нсходного ве1пества выбран As9S5, а в качестве дополнительного материала Си. Стеклообразный Аз25,ч размельча; ся п номеи1алея в иснаритель. Доиолннтельный материал находился в диеперсиой форме, позволяюпк й достаточно эффективно 1фО1И1кать нарам нсиаряемого веп еетва, п иоменитлся в пеиарнтеле поверх пеходного вен1естБа. Иснарптель нагревался в вакууме до 300-350°С.

Получаемые аморфные плепкн под действием онтической засветки обладают свойством как уменьшения, так и увеличения оптического пропускания в зависимости от иитенсивности света. Пленки систем As-S, полученные другнмп пзвестнымн способами, обладают способностью либо только увеличиват, либо только уме1и п1ать оптическое иропускапие, пезавпспмо от 1;нтенспвиоет1 падаюш;его света.

В слоях ярко выражен эффект фотопросветления, крайне редко встречаю-пип ся в слоях ХСП, полученных обычными енособами, который персиективеп для практики.

Эксперимептальиые сиектрал1 ные завнсимости пропускания слоев, полученных icнарением А&25з через слой Си, представлены на чертеже. Как видно из чертежа, прп засветке слоев имеет место сдвиг спектральной зависимости пропускания относпте.1ьпо средней споеобпостп оптического пропускания (кривая 1).

При малой интенсивности происходит сдвиг в длпнноволиовую область (кривая 2), что равносильно уменьшению оптического проиуекания, а при большей интенсивности засветки - в коротковолновую область, при этом оптическое пропускание возрастает (кривая 3).

Эффект фотоиросветления в слоях ХСП весьма редок и, как правило, мало эффективен. Пленки, созданные на основе предлагаемого способа, зпач1ггельно lipciiijiinaют (но крайней мере в 10 раз) по такому параметр}-, как n3Meiieinie показателя преломления, слои, г.риготоилспные обычными 5 методамп, в кг) паблюдается фотопросветление.

Экспериментальные слои обладают более высокой фоточувствительпостью (1-3 ) ио сравнению со слоями 0 laKHx же систем Х(П (0,1-О,о с.м-;Дж, спстема As-S).

Исследованные елон имеют достаточно высокое разрситение до 2000 лин/мм.

. Изменение показателя нре.толктения - ,

соетавляюш,ее 4-7%, делает иодобные слои перспективными для заниси оптическо ппформации.

Область еиектра; ьиой фоточувств1гге.ть0 ности слоев ири их изготовлепии предлагаемым епособом еуп1ествепио расширяется в д.гинноводновую областГ) онтнческого спектра.

Следует отметить, что материалы иекоторых систем ХСП с избытком , например As-S, нс1)озможно в бо,тьи1их количествах синтезировать. Такп.м образом, предлагаемый способ изготовления полуироводпиковых слоев с избытком мыиИ)Яка

0 является к наетояи1ем - времени едипствеии згм.

Ф о р .м у л а и 3 с; б р е т е и и я

(дюсоб изготов.чепия полупроводниковых 5 пленок на (.1спове As S i-.v псиареиня исходпого материала через слой дополнительного материала и осаждения на подложку, о т л и ч а ю И1 п и с я тем, что, с целью получения плепок, обладаюпщх спо0 соб11остью при облученпи светом как увелп нвать, так и умеп,шать О1ггическое пропусканне в завнеимостп от интенсивпостн света, а также повьпиенной светочувствительностью, в качестве исходного веи1еет15а 5 берут стеклообразный материа.т состагза Лзд- S 1-л: , где 0.30 ,45, а в качестве дополнительного мач-ериала использ чот Си, и испа) проводят при температуре 300--350°С.

Иеточники мании, иринятые во внимание ири экспертизе

1.Холлэнд М. Нанесение тонких иленок в вакууме. лИ-Л. «Гоеэнергоиздат, 1963, с. 137- 176.

2.Патент США Хд 3094395, кл. , онублик. 1959 (прототип).