Способ изготовления материала, чувствительного к электромагнитному излучению Советский патент 1977 года по МПК G03G5/00 

1

Изобретение относится к способам приготовления материалов, чувствительных к электромагнитному и корпускулярному излучению. Оно может применяться для изготовления материалов, пригодных как для записи информации с высокой плотностью в широкой спектральной области, так и для изготовления ряда изделий в оптотехнике (дифракционные реплетки, поляризаторы электромагнитного излучения и др.), электронной технике (фотошаблоны и др.), полиграфии и других отраслях.

Известен способ приготовления светочувствительного материала, заключающийся в нанесении на диэлектрическую подложку слоев серебра и халькогенида мышьяка Аз25з. Слои наносят методом термического испарения в вакууме порядка 10 мм рт. ст. на диэлектрическую подложку, находящуюся при комнатной температуре. Полученный таким способом материал чувствителен к электромагнитному излучению в области спектра до 700 нм.

Этот способ приготовления светочувствительного материала, представляющего собой систему полупроводник - металл, не позволяет получить стехиометрические слои сложных полупроводниковых соединений и использовать их свойства для создания материала с высокой чувствительностью к электромагнитному излучению в ближней инфракрасной области спектра, так как при нанесении полупроводникового слоя термическим испарением в вакууме происходит диссоциация соединения и на подложку оседает смесь его различных компонентов, не обладающая свойствами исходного материала.

Целью изобретения является повышение чувствительности материала к электромагнитному излучению в ближней инфракрасной области спектра.

Это достигается тем, что в качестве полупроводника используют сегнетополупроводник SbSI, при этом нанесение его осуществляют методом дискретного взрывного испарения на подогретую до 50-60°С подложку с последующим выдерживанием материала в вакууме не менее 4 час при температуре 50-60°С. Способ осуществляется следующим образом. На диэлектрическую подложку наносят слой серебра. В случае применения светочувствительной системы для записи информации, при необходимости считывания ее на пропускание, слой серебра выбирают небольшой толщины. На слой серебра наносят слой сегнетополупроводника SbSI.

Возможен и обратный порядок нанесения слоев.

Слой серебра наносят термическим испарением в вакууме порядка 10 мм рт. ст. Слой

сегнетополупроводника SbSI наносят методом дискретного взрывного испарения в вакууме того же иорядка на слой серебра, при этом подложка со слоем серебра нагрета до 50- 60°С. После нанесения слоев материал, представляющий собой систему SbSI-Ag, выдерживают в вакууме порядка 10 мм рт. ст. при температуре 50-60°С 4-5 час.

При температуре 20°С система SbSI-Ag характеризуется паряду с высокой устойчивостью без облучения чувствительностью к излучению в области длин волн до 1000 нм. При температуре 26-27°С в слое SbSI происходит сегнетоэлектрический фазовый переход первого рода. При такой температуре светочувствительность системы SbSI-Ag возрастает в несколько раз и длинноволновый край ее смещается при этом до 1250-1300 нм.

Формула изобретения

Способ изготовления материала, чувствительного к электромагнитному излучению, заключающийся в том, что на диэлектрическую подложку последовательно наносят слои серебра и полупроводника путем термического их испарения в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности материала к электромагнитному излучению в ближней инфракрасной области спектра, в качестве полупроводника используют сегнетополупроводник SbSI, при этом нанесение его осуществляют методом дискретного взрывного испарения на подогретую до 50-60°С подложку с последующ,им выдерживанием материала в вакууме не менее 4 час при температуре 50-60°С.