Это достигается тем, что в предлагаемом блоке на другой стороне пластины нанесены фоторезистивиые лленки, на которых ipacnoложеяы выходные электроды.
ПримВнение фоторемстивных пленок, нанесенных яа Пластину из сегнетоэлектрического материала, позволяет изменять коэффициент передачи сигнала с возбужденного выходного пъезапреобразоеателя в нагруженную информациояную лияию в зависимости от уровня освещенности отдельных элементов устройства, т. е. производить коррекцию ранее записанного цифрового кода световым сИГналом.
На чертеже схематически показан запоминающий блок (для наглядности электроды условно разнесены ло вертикали).
Основой конструкции запоминающего блока является пластина 1 из селнетоэлектрического материала, обладающего пьезоэлектрическими свойст1вами в поляризованном состоянии. В середине каждой из сторон пластины 1 расположены один против Другого электроды (возбуждения 2, 3. На одной стороне пластины 1, .напрИМер верхней, по краям ее параллельно первому электроду воз-буждения 2 нанесены электроды записи 4 ийформацни. На другой -стороне пластины 1 перпендикулярно к второму электроду возбуждения 3 нанесены фоторезистивные пленки 5, на которых расположены выходные электроды 6, выполненные из оптически прозрачного электропроводяще го материала (например, окиси олова и т. п.). Поляризация между электродами возбуждения 2 и 3 создается приложением электрИческого поля к этим электродам и в процессе эксплуатации не изменяется.
Информация записывается также np« изготовлении блока и при необходимости может быть изменена. Для этого достаточно приложить электрическое напряжение между выходными электродами 6 и электродами записи 4. В результате .в зоне перекрытия этих электродОВ у1ста,новится постоянное значение поляризации, причем направление вектора поляризации од1нознач1но определяется полярностью гариложеиного напряжения записи. Направление поляризации в каждой зоне перекрытия может быть различным и характеризует хранимый информационный массив. Полярность выходного сигнала определяется соотношением направления поляризации сегнетоэлектрического материала в области электродов возбуждения 2 и 3 и каждой зоны перекрытия электродов запиеи 4 и выходных электродов 6.
Коррекция последовательности выходных импульсов осуществляется с помощью фоторезиютивных пленок 5, отделяющих выходные элект роды 6 от пластины 1. Когда фоторезистивная пленка 5 освещена, сопротивление ее мало и напряжение выходного пьезопреобразователя (на ечртеже не показан), 5 приложенное к последовательно соединенным участку фоторезистивной лленки 5 и нагрузке (на чертеже не показана), распределяется таким образом, что весь полезный сигнал выделяется на нагрузке. В случае, если фото0 резиотивНая плеика 5 затемнена, ее сопротивление велико и основная часть напряжения приложена к этому сопротивлению, а на нагрузке полезный сигнал практически отсутствует.
5 Таким образом, изменяя освещенность фоторезистивной пленки 5 в областях соответствующих выходных электродов 6, возможна коррекция последовательности генерируемых импульсов.
0 В одном из вариантов конструкции запоминающего |блока пластину сегнетоэлектрического материала с электродами помещают в корпус интегральной микросхемы, верхнюю крышку корпуса выполняют из прозрачной
5 пластмассы. Тогда необходимую коррекцию кода осуществляют 1нанесен ем «а 1К|рыщку затемиенных участков.
Эффективность подобного запоминающего блока проявляется лри использовании ело в
0 качестве хранителя шифра. Нримеияя освещение -пластины через маску с нанесенными определенным образом прозрач1ными и непрозрачными участками, можно осуществить коррекцию кода (шифра) без электрической
5 перезаписи, требующей .наличия специальных электронных схем формирования сигналов. Следовательно, представляется возможность использовать полностью весь считываемый код или определенную его часть в соответQ ствии с принятой коррекцией, вид которой устанавливается в момент возведения блока простой установкой маски с прозрачными или непрозрачными участками.
Формула изобретения
Запоминающий блок, содержащий сегнетоэлектрическую пластину, в середине одной из сторон которой расположен .первый электрод возбуждения, а по краям параллельно элекQ троду возбуждения нанесены электроды записи, на другой стороне пластины против первого электрода возбуждения расположен второй электрод возбуждения, выходные электроды, нанесенные перпендикулярно к второму электроду .возбуждения, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения блока, на другой стороне пластины нанесены фоторезистивные пленки, на которых расположены выходные электроды.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Накопитель для постоянного запоминающего устройства | 1978 |
|
SU739652A1 |
Запоминающее устройство | 1972 |
|
SU469139A1 |
Накопитель для запоминающего устройства | 1979 |
|
SU830574A1 |
Запоимнающее устройство | 1978 |
|
SU746725A1 |
Запоминающее устройство | 1980 |
|
SU886049A1 |
Накопитель для запоминающего устройства | 1978 |
|
SU752474A1 |
Вычитающее устройство | 1980 |
|
SU911549A1 |
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ОБРАБОТКИ ДАННЫХ | 1998 |
|
RU2184400C2 |
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА С ОПТИЧЕСКИМ СЧИТЫВАНИЕМ ИНФОРМАЦИИ | 2007 |
|
RU2338284C1 |
ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | 1973 |
|
SU364962A1 |
Авторы
Даты
1977-04-30—Публикация
1975-09-23—Подача