Запоимнающее устройство Советский патент 1980 года по МПК G11C11/22 

Описание патента на изобретение SU746725A1

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении микроминиатюрных устройств, где требуется хранение дискретной информации, представленной более, чем двумя уровнями.

Известны запоминающие устройства (34) содержащие пластину из сегнетсн. электрическогчз материала, обладающего пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии, с нанесенной на ее Противоположные стороны системой электродов.

, Одно из известных ЗУ содержит пластину из сегнетоэлеКтрического мйтериала, на разных стороневс ксзтброй расположены электроды возбуждения и выходные электроды l .

Недостатком ЗУ является возможность хранения лищь двух дискретных уровней информации.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является ЗУ, содержащего сегнетоэлектрическую пластину,

обладающую пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии, на одной из сторон которой расположен первый электрод возбуждения и электроды записи, на другой стороне пластины против nef. вого электрода возбуждения расположен второй электрод возбуждения и выходные электроды 2 ,

Недостатком известного устройства является способность .хранения информации,

10 представленной лишь двумя дискретными уровнями, что не позволяет использовать это устройство в многоустойчивых цифровых системах и ограничивает его информационную емкость.

15

Целью изобретения является повышение информационной емкости известного ЗУ.

Поставленная цель достигается тем, что ЗУ,, содержащее пластину из сегиетоэлектрического материал, обладающего

20 пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии, на одной из сторон которой расположен первый электрод возбуждения и параллельно ему вььходной

лектрод, а на другой стороне пластины ротив первого электрода возбуждения асположен второй электрод возбуждения, формироватеди сигналов записи, содержит на другой стороне пластины из сегнетоэлектрического материала против выодного электрода электроды записи и вспомогательные электроды по числу усойчивых информационньрс состояний устройства, причем электроды записи под- JQ ключены к соответствующим формировате- пям сигналов записи, а вспомогательные электроды - к шине нулевого потенциала.

На чертеже изображена конструкция ЗУ.

Предложенное ЗУ содержит пластину из сегнетоэлектрического материала, обладающего пьезоэлектрическими свойствами в попяризованнсм состоянии. На одну из сторон пластины 1 нанесен первый электрод 2 возбуждения и параллельно ему вы- jo ходной электрод 3, На другую сторону пластины 1 против первого электрода 2 возбуждения второй электрод 2 возбуждения против выходного электрода 3 нанесены электроды 4 записи и вспомогатвль- 25 ные электроды 5. К электродам 2 возбуждения подключен формирователь 6 сигнапов считывания, к выходнЪму электроду подключен усилитель 7 считьтания. Электроды 4 записи подключены к формирователям зо 8 разнополярных сигналов записи. Вспомогательные электроды 5 подключены к общей точке.

В общем случае для хранения информации, имеющей максимальное число уровней 35 N (информационные сигналы уровня М ), устройство имеет К электродов 4 записи И такое же количество вспомогательных электродов 5.

Запись информации в устройство произ- о водится следующим образом.

Для записи дискретного информационного сигнала уровня К с К формирователей 8 сигнапов записи подается напряжение записи на К электродов 4 записи, подклю- ченные к этим формирователям, создающее поляризацию сегнетоэлектрического материала пластины 1, находящегося в зоне перекрытия электродов 4 записи и выходного электрода 3 (подключенного че- 5° рез входные цепи усилителя считывания 7 к общей точке), равную по величине и направлению поляризации сегнетоэлектрического материала пластины 1 в зоне перекрытия вспомогательных электродов 5 и вьшодного электрода 3. С остальных (К) формирователей 8 сигналов записи На (N-K) электрод 4 записи, подключенные к этим формирователям, подается напряжение записи, создающее поляризацию Сегнетоэлектрического материала пластины 1, находящегося в зоне перекрытия электродов 4 записи и выходного электрода 3, по величине, но знак которой противоположен знаку поляризации сегне- тоэлектрического материала пластины 1 в зоне перекрытия вмпомогательных электродов 5 и выходного электрода 3.

При считывании информации все электроды записи 4 подключены к общей точке. Импульс считывания с формирователя 6 подается на электроды возбуждения 3. В силу явления обратного пьезоэффекта, воз- бунщается волна механической деформации, .распространяющаяся в материале сегнетоэлектрической пластины. По достижении механической волной зоны выходного электрода 3, на последнем, в силу явления прямого пьезоэффекта, индуцируется электрический заряд, источниками которого являются элементарные пъезопреобразова- тели, образованные в зонах перекрытия электродов записи 4 и вспомогательных электродов 5 с выходным электродом 3. Каждый из элементарных пьезопреобразов телей индуцирует заряд, мгновенное значение которрго равно-ю. или -су. (знак заряда определяется направлением поляризации сегнетоэлектрического материала данного элементарного пьезопреобразова- теля). Если мгновенный заряд, индуцируемый элементарным пьезопреобразователем, образованным в зоне перекрытия выходного электрода 3 и одного из вспомогательных электродов 5 + С , то суммарный мгновенный электрический заряд, индуцируемый на выходном электроде 3 для рассматриваемого произвольного случая (считывание записанного дискретного сигнала уровня К) пропорционален количеству уровней К записанного многоуровневого сигнала.

При использовании предложенного запоминающего устройства в вычислительных устройствах уменьшается физический объем и количество применяемого оборудования, значительно снижается потребляемая мощность и длительное хранение информации без затрат .внешней энергии, а также ее считьшание без разрушения.

Формула изобретения

Запоминающее устройство, содержащее пластину из сегнетоэлектрического материала, обладающего пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии.

на одной из сторон которой расположен первый электрод возбуждения и параллельно ему выгсодной электрод а на другой стороне tuiacTHEf r против первого электрода возбуждения расположен второй электрод возбуждения, и формирователи сиг налов записи, отличающееся тем, что, с целью повышения информационной емкости устройства, оно содержит на другой стороне пластины из сегнетоэлектрического материала против выходного электрода электроды записи и вспомогательные электроды по числу устойчивых

информационных состояний устройства, причем электроды записи подключены к соответствующим формирователям сигналов записи, а вспомогательные электроды - к щине нулевого потенциала. I ,

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Патент США N 373359О, кл. 34О-174, 1971.

2.Авторское свидетельство CCXDP № 556497, кл. G 11 С 11/22, 1977 (прототип).

Похожие патенты SU746725A1

название год авторы номер документа
Запоминающее устройство 1980
  • Завадский Владимир Александрович
  • Заика Юрий Павлович
  • Корнейчук Виктор Иванович
  • Меженый Анатолий Филиппович
  • Самофалов Константин Григорьевич
  • Тарасенко Владимир Петрович
SU886049A1
Запоминающее устройство 1972
  • Завадский Владимир Александрович
  • Манжело Валерий Александрович
  • Самофалов Константин Григорьевич
SU469139A1
Накопитель для запоминающего устройства 1978
  • Завадский Владимир Александрович
  • Заика Юрий Павлович
  • Самофалов Константин Григорьевич
SU752474A1
Накопитель для постоянного запоминающего устройства 1978
  • Завадский Владимир Александрович
  • Заика Юрий Павлович
  • Самофалов Константин Григорьевич
SU739652A1
Полупостоянное запоминающее устройство с электрической перезаписью информации 1976
  • Самофалов Константин Григорьевич
  • Мартынюк Яков Васильевич
  • Харламов Александр Дмитриевич
  • Горун Валентин Леонидович
  • Кирсанов Геннадий Георгиевич
  • Филатова Надежда Васильевна
SU634373A1
Вычитающее устройство 1980
  • Завадский Владимир Александрович
  • Заика Юрий Павлович
  • Корнейчук Виктор Иванович
  • Меженый Анатолий Филиппович
  • Самофалов Константин Григорьевич
  • Тарасенко Владимир Петрович
SU911549A1
Запоминающий блок 1975
  • Завадский Владимир Александрович
  • Иващенко Александр Владимирович
  • Манжело Валерий Александрович
  • Швыдкий Николай Романович
  • Самофалов Константин Григорьевич
SU556497A1
Запоминающее устройство 1976
  • Самофалов Константин Григорьевич
  • Мартынюк Яков Васильевич
  • Харламов Александр Дмитриевич
SU597006A1
ВСЕСОЮЗНАЯ ' 1973
  • Витель Г. Самофалов, Плахотный Я. В. Мартынюк
SU368645A1
Запоминающее устройство 1973
  • Самофалов Константин Григорьевич
  • Мартынюк Яков Васильевич
  • Шпак Юрий Иванович
SU447757A1

Реферат патента 1980 года Запоимнающее устройство

Формула изобретения SU 746 725 A1

SU 746 725 A1

Авторы

Завадский Владимир Александрович

Заика Юрий Павлович

Самофалов Константин Григорьевич

Даты

1980-07-05Публикация

1978-05-15Подача