Способ обработки ионных кристаллов Советский патент 1978 года по МПК H01L21/26 

1

Изобретение относится к области ядерного приборостроения.

Известны способы повышения радиационной стойкости кристаллических тел путем введения в кристалл дополлительных элементов l, а также путем облучения тела электронами или другими ионизирующими частицами и одновременного нагревания тела 2 . Эти способы применимы для обработки полупроводниковых материалов

Известен способ обработки ионных кристаллов путем облучения потоком позитронов, в результате которого проводится позиционный отжиг дефектов з .

Этот способ не использовался для повышения радиационной стойкости ионных кристаллов в полях содержащи нейтронную компоненту.

Цель изобретения - повышение стой кости ионных кристаллов к нейтронному облучению.

Цель достигается тем, что на кристалл наносят покрытие из материа ла, взаимодействующего с нейтронами с образованием радиоактивного изотописточника позитронов, например из меди. Толщина медного покрытия составляет от 100 до 200 мкм.

Способ реализуют следующим образом .

До помещения ионного кристалла в ридационное поле, содержащее нейтронную компоненту, на его поверхность наносится медное покрытие. Медное покрытие можно осуществить наложением или наклеиванием медной фольги тojnlциной 100-200 мкм.

В результате активации образца в поле излучения, содержащего нейтронную компоненту, медное покрытие становится позитронным источником, содержащим изотоп Сц с периодом полураспада 12,88 ч. В прюцессе воздействия изотопа Си на ионный кристалл происходит позитронный отжиг дефектов,что приводит к повышению общей радиационной устойчивости образца. Толщина медного покрытия выбиралась из следующих соображений: в случае толстых покрытий наружные слои медного покрытия экранируют внутренние, а в случае очень тонких медных пластинок (меньше 100 мкм) оказывается весьма незначительным активированный слой. Поэтому наиболее оптимальная толщина медного покрытия составляет 100-2ООмкм,исходя из рассчитанных величин среднего пробега позитронов бетаспектра Си в медной пласти-з. не. Формула изобретения 1. Способ обработки ионных кристаллов, заключающийся в облучении ионного кристалла потоком позитронов, отличающийся тем, .что, с целью повыиения стойкости к нейтрон-.,, ному облучению, на кристалл наносят покрытие из материала, взаимодействующего с нейтронами с образованием g радиоактивного изотопа - источника позитронов, например из меди.. 2. Способ по п . 1, отличающ и и с я тем, что наносят медное покрытие толщиной от 100 до 200 мкм. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: 1. Патент C5IIA 3799813, кл. 148-1.5, 1974. 2. Патент Великобритании 1310449, кл, Н 1 К, 1973. з. К.Р. Aveft-ey, S.A. Vorobtev, 5Ку&. Jett,v. 44 а, 1973. W 6, р. 439..