Формирователь импульсов Советский патент 1977 года по МПК H03K5/153 

лсиия олмовиОратора Т )аизг1стор 1 закрыт, а IpaiuncTop 4 открыт. От г;сточии1са питания времязадающнй конденсатор 3 ;;;а;)и кастся но цепи эмиттер-база дополнигслыюго транзистора 5 с параллельно вклю енлым неремеиным резистором 6 и переход база-эмиттер транзистора 2. В результате з коллекторной цепи дополнительного транзистора о генерируется короткий имнульс иапряжения, так как эквивалентное сопротивление цени заряда мало. Амплитуда протекающего в базе транзистора 5 тока уменьшается с уменьшением соцротивлення резистора 6, что соировождаетиЯ уменьшением длнгольиоети выходного импульса.

Использозанне новых элемеитоз (дополнительных транзисторов) выгодно отлипает регенератнвные схемы (одновнбраторы, мультивибраторы, триггеры) от известных устройств, так как позволяет увеличить их нагрузочную сиособность, разделить цепи формируемого имнульса от цепей, используемых для запуска, упростить схемы их соединения с подобными устройствами без применения дополнительных реактивных цепей, расширить логические возможности устройств, нсиользующих эти схемы.

Формула изобретения

Формирователь импульсов, содержащий одновибратор с коллекторно-базовыми связями

на трех транзнсторах, в котором база первого транзистора соедннена с коллектором второго транзистора неносредствеиио, а база второго транзиетора соединена с коллектором иервого транзистора через иоследовательно включенную день, состоящую из конденсатора и нерехода база - эмиттер-третьего транзистора, который зашунтнроваи встречно включенным диодом, причем коллекторы первого и второго транзнстора соединены соответственно через резисторы с источником питания, отличающийся тем, что, с целью формирования импульса в момент окончания задержки, в устройство введено два дополнительных транзистора, эмиттер одного нз доиолнительных транзисторов соединен с источинком питания, коллектор соединен с выходом устройства и через резистор с общей шиной, база соединена с коллектором третьего транзистора и через резистор с источником нитания, причем база третьего транзистора соедниена с коллектором вторОГо дополнительного транзистора, эмиттер которого соединеи с общей щиной, а база соедннена через резисторы соответственно со входом устройст} а и с общей шиной.

Источники информации, нринятые во внимание прн экспертизе:

1. Е. М. Мартынов. Бесконтактные переключающие устройства, «Энергия, М., 1970, стр. 80 рис. 4-6 (нрототип).

Г --f--f-- -t

Cb-i